聚吡咯納米線修飾電極的制備及其在傳感器中的應(yīng)用研究.pdf

1、聚吡咯是一種物理化學(xué)性能優(yōu)異的導(dǎo)電聚合物，在很多方面有著良好的應(yīng)用前景。聚吡咯易形成不溶不熔的顆粒，限制了它的應(yīng)用。定向生長(zhǎng)的聚吡咯納米線具有更高導(dǎo)電性和機(jī)械強(qiáng)度。聚吡咯納米線修飾電極對(duì)許多化合物的氧化還原反應(yīng)具有催化作用，它能夠降低電化學(xué)反應(yīng)的過電位、增大響應(yīng)電流，因此可以用于組裝電化學(xué)傳感器。亞硝酸鹽易與胺類化合物反應(yīng)生成強(qiáng)致癌性物質(zhì)亞硝胺。本文以亞硝酸根離子為模型化合物研究聚吡咯納米線修飾電極的電催化性能，具有重要的理論和實(shí)際意義

2、。 使用可溶性淀粉為誘導(dǎo)劑在磷酸鹽溶液中電化學(xué)合成了聚吡咯納米線。研究了納米線的生長(zhǎng)過程及淀粉在其生長(zhǎng)過程中的作用，考察了聚合電位、單體濃度、聚合時(shí)間、溫度、酸度、高氯酸鋰濃度以及淀粉濃度等對(duì)聚吡咯納米形貌的影響。對(duì)聚吡咯納米線進(jìn)行了紅外光譜分析。 在硫酸溶液中，研究了可溶性淀粉誘導(dǎo)制備的聚吡咯納米線修飾電極的電化學(xué)行為。研究了修飾電極對(duì)亞硝酸根離子的電催化還原作用，制備了性能優(yōu)良的亞硝酸根離子傳感器。循環(huán)伏安研究表明聚

3、吡咯納米線修飾電極可以有效降低亞硝酸根離子的還原過電位并且對(duì)亞硝酸根離子的電還原有顯著的催化作用。雙電位階躍計(jì)時(shí)電流法研究發(fā)現(xiàn)聚吡咯納米線修飾電極對(duì)亞硝酸根離子的電催化還原電流與亞硝酸根離子濃度成線性關(guān)系，能夠在實(shí)驗(yàn)所測(cè)范圍內(nèi)（7.81×10-5M～0.02M）準(zhǔn)確測(cè)定離子濃度。亞硝酸根離子的催化還原電流隨電解液溫度、吡咯聚合電量和亞硝酸鹽溶液酸度的增大而提高。聚吡咯納米線修飾電極的后處理也對(duì)電極性能產(chǎn)生影響。所制備的傳感器穩(wěn)定性有待提