基于硬質和柔性基底的p型磷化鋅納米線排列器件的光電性能研究.pdf

1、一維半導體納米材料由于具有獨特的物理性質和化學性質，吸引著眾多領域的學者開展相關的研究。如場效應晶體管的投入應用同時需要n型和p型半導體納米材料，而目前高質量的p型半導體材料相對較缺乏。磷化鋅納米線作為一種典型的p型半導體納米材料應用較廣。要實現(xiàn)基于納米材料電路的集成，必須實現(xiàn)納米材料的可控分布，一維半導體納米材料的排列在一定程度上能實現(xiàn)這個要求。因此基于磷化鋅納米線排列的場效應晶體管和光電探測器的研究顯得尤為重要。本論文的主要內容包括

2、如下方面：
　　(1)采用化學氣相沉積法在硅基底上生長磷化鋅納米線，并通過“接觸印刷”的方式將納米線轉移到硅/二氧化硅基底（硬性）和PET基底（柔性）上呈有序排列。
　　(2)對基于單根磷化鋅納米線場效應管的電學性質進行測量，確認該晶體管呈現(xiàn)p型半導體導電特性，并具有良好的柵壓調控作用。單根磷化鋅納米線的電子遷移率和開關電流比分別為34.5cm2V-1s-1和103。同時，基于排列的磷化鋅納米線場效應管同樣呈現(xiàn)出良好的p型半

3、導體導電特性，器件的開關電流比約為103。
　　(3)研究發(fā)現(xiàn)基于排列的磷化鋅納米線的硬性光電探測器對較長波長的入射光有很好的響應。例如電壓為2V時，對于620nm、光強度為0.7mW/cm2的入射光，其光響應度Rλ為617A W-1，光電導增益為1376。
　　(4)基于PET基地的柔性光電探測器，在上述測試條件下，其光響應度Rλ為600A W-1，光電導增益為1200。并且在彎折不同的角度或不同的次數(shù)時，與彎折前電學性質