ZnO納米線的生長(zhǎng)與排列.pdf

1、氧化鋅（ZnO）是一種重要的寬禁帶（Eg=3．37ev）半導(dǎo)體材料，其激子束縛能高達(dá)60meV，在室溫紫外光電器件方面有巨大的應(yīng)用潛力。尤其，一維氧化鋅納米結(jié)構(gòu)（納米線、納米棒、納米帶）吸引了更多人的關(guān)注，主要是因?yàn)槠湔宫F(xiàn)出來的近紫外發(fā)射，光透性，電導(dǎo)性，壓電性等。此外，一維氧化鋅納米棒陣列已經(jīng)成為傳感器，場(chǎng)發(fā)射，太陽(yáng)能電池和表面聲波導(dǎo)等應(yīng)用方面的重要選擇，這也激發(fā)了許多人利用多種方法制備一維氧化鋅納米結(jié)構(gòu)。 目前針對(duì)一維ZnO

2、納米結(jié)構(gòu)的制備和光電子器件應(yīng)用方面開展了很多研究工作，特別氣相法制備ZnO納米結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性以及一維ZnO納米結(jié)構(gòu)如何應(yīng)用到光電子器件方面存在一些問題，針對(duì)一維ZnO納米結(jié)構(gòu)的控制生長(zhǎng)和在應(yīng)用到器件方面的問題本文主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了初步的探索。 （1）采用了氣相傳輸法制備ZnO納米結(jié)構(gòu)，通過對(duì)源溫度、生長(zhǎng)溫度、石英管形狀和反應(yīng)氣氛等工藝條件的控制，得到了一維ZnO納米結(jié)構(gòu)，通過SEM、XRD、TEM等表征手段分析。并介紹一種新

3、穎的帶有帽狀的ZnO納米線結(jié)構(gòu)的制備。 （2）由于一維ZnO納米材料具有特殊的電子傳輸特性，光學(xué)特性和表面效應(yīng)，使其在激光器、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、單電子晶體管、二極管、邏輯電路、傳感器等方面有廣泛應(yīng)用。但將一維ZnO納米材料連接到兩個(gè)電極上并構(gòu)造器件是必要的，因?yàn)殡娪痉ㄓ捎诓僮鞣奖阌行В陙硪呀?jīng)被廣泛用于操作納米結(jié)構(gòu)上，本文通過在自行設(shè)計(jì)的電極兩端施加適當(dāng)頻率和幅度的交流電信號(hào)，在電極間產(chǎn)生非均勻電場(chǎng)，使在其間的氧化鋅納米線結(jié)構(gòu)受到