4H-SiC BJT直流增益與RF特性模擬研究.pdf

1、碳化硅禁帶寬、擊穿電場大、熱導率高、電子飽和漂移速度快，在高溫、高頻、高輻射環(huán)境下有重要的應用前景，4H-SiC雙極晶體管越來越受到人們的重視。本文對4H-SiC BJT的共射極電流增益及交流頻率特性進行模擬和分析。主要工作如下： 建立了適用于4H-SiC BJT直流模擬的結構和物理模型，并用此模型對器件的直流特性進行模擬?？紤]了SiC/SiO2界面態(tài)和發(fā)射區(qū)-基區(qū)外延層界面態(tài)引起的基區(qū)表面復合和發(fā)射結空間電荷區(qū)復合，建立了基于

2、發(fā)射極電流集邊效應的數(shù)值模型。該模型準確地反映了器件的真實工作特性。研究了影響器件直流增益的各種因素：分析了兩種界面態(tài)對電流增益的不同影響，發(fā)現(xiàn)發(fā)射區(qū).基區(qū)界面態(tài)是限制4H-SiC BJT電流增益的主要原因。對器件的高溫直流特性進行了討論，證明了4H-SiC BJT具有在300℃以上高溫工作的能力。最后分析了器件電流增益隨時間的退化，用簡單的理論解釋了堆垛缺陷對電流輸運的影響?；趦?yōu)化的器件模型，利用二端口網絡分析和S參數(shù)模型，對4H-

3、SiC RF BJT進行了交流小信號分析，提取的器件截止頻率，最高振蕩頻率分別為3GHz和7.3GHz，證明了4H-SiC RF BJT的L波段RF應用潛力。同時分析了界面態(tài)對頻率特性的影響，結果表明，界面態(tài)的存在并沒有降低fT和fmax，優(yōu)化基區(qū)的設計才是頻率特性提高的關鍵。 本文建立起來的模型模擬得到的結果和國外的實驗結果較為一致，證明了在模擬軟件中建立的數(shù)值模型是可信的，為進一步在實驗中對4H-SiC雙極晶體管進行研究提供