碳納米管場效應(yīng)管電子輸運特性的研究.pdf

1、本文在全量子力學模型框架下，采用非平衡格林函數(shù)方法研究了碳納米管場效應(yīng)管的電子輸運特性，其目的在于為基于碳納米管場效應(yīng)管的納米電子器件的設(shè)計和優(yōu)化提供理論依據(jù)。
　　首先，基于非平衡格林函數(shù)的理論，通過量子建模，推導出碳納米管場效應(yīng)管相應(yīng)物理量在實空間和?？臻g中的格林函數(shù)表達式。利用?？臻g方法計算了碳納米管場效應(yīng)管的電學特性，發(fā)現(xiàn)碳納米管場效應(yīng)管的電學特性與硅基MOSFETs類似，如線性，飽和以及截止特性；局域態(tài)密度譜和電子密度譜

2、中均能清楚的看到帶隙、量子干涉，和量子限制現(xiàn)象。
　　其次，首次提出了兩種新型結(jié)構(gòu)的碳納米管場效應(yīng)管，即雙材料欠疊異質(zhì)柵碳納米管場效應(yīng)管和三材料欠疊異質(zhì)柵碳納米管場效應(yīng)管，并與單質(zhì)柵碳納米管場效應(yīng)管電學特性進行比較，發(fā)現(xiàn)欠疊異質(zhì)柵結(jié)構(gòu)能較好的抑制短溝道效應(yīng)，具有更好的柵控能力，在開關(guān)電流比的表現(xiàn)上也很突出，且其截止頻率能較好的保持在THz級別，隨欠柵長度的增加，截止頻率會有明顯的增加。
　　最后，采用時域和時空間域相結(jié)合，迭