ZnO透明薄膜場效應(yīng)管的研究.pdf

1、氧化鋅(ZnO)作為一種多功能的寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料，具有六角纖鋅礦型的晶格結(jié)構(gòu)，室溫下禁帶寬度約為3.37eV。ZnO薄膜材料具有禁帶寬，載流子遷移率高等優(yōu)異的半導(dǎo)體特性，對可見光的透射率很高。可以在較低的溫度下，以高質(zhì)量的薄膜形式沉積在不同的襯底(如硅片，石英，玻璃和塑料)上。ZnO作為場效應(yīng)管有源層其高遷移率可以滿足OLED等電流驅(qū)動器件所需的大電流，同時(shí)可解決傳統(tǒng)硅基場效應(yīng)管不透明的缺點(diǎn)。用ZnO作為有源層制備高性能的透明薄

2、膜場效應(yīng)管(ZnO-TFT)對于可見光部分平均透射率超過80％，可以大大提高像素開口率。本論文研究共包括以下三個(gè)方面：
　　 (1)采用溶膠-凝膠方法和射頻磁控濺射方法制備性能優(yōu)良的ZnO薄膜，并對薄膜生長規(guī)律，制備工藝，摻雜規(guī)律等進(jìn)行了深入研究，為透明氧化物薄膜半導(dǎo)體材料及透明電極的制備奠定基礎(chǔ)。
　　 (2)全透明ZnO-TFT的制備：用溶膠-凝膠法制備性能優(yōu)良的ZnO薄膜作為有源層，SiO2作為柵絕緣層，ITO做透