碳納米管場效應(yīng)晶體管中電子輸運的理論研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于碳納米管獨特的機械、電學(xué)以及光學(xué)性質(zhì),顯示出了廣闊的應(yīng)用前景。單壁碳納米管根據(jù)其對稱性結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)金屬性或半導(dǎo)體性。碳納米管中的電子輸運是典型的彈道輸運,它具有電流密度大,小電阻,以及大載流子遷移率,熱導(dǎo)性能好等優(yōu)點,到目前國內(nèi)外已有很多實驗室利用單壁半導(dǎo)體性碳納米管制成了碳納米管場效應(yīng)晶體管,其有可能應(yīng)用到納米電子集成電路,并有可能帶來電子工業(yè)器件產(chǎn)品的小型化及性能的飛躍。但是,實驗已觀測到碳納米管場效應(yīng)晶體管中的無規(guī)則電報信號雜

2、音,而且該雜音強度有時還大于硅晶體管中的電雜音。眾所周知,柵極氧化層中很多缺陷引起的無規(guī)則電報信號雜音的疊加會導(dǎo)致1/f低頻電雜音[P. Dutta and P.M. Horn, Rev. Mod. Phys.53,497(1981)]。電雜音問題是影響碳納米管場效應(yīng)晶體管進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的障礙之一。因此,理解一個缺陷電荷在碳納米管中引起的無規(guī)則電報信號雜音對于設(shè)計低雜音的碳納米管場效應(yīng)晶體管非常重要。
  本論文主要運用非平衡格林

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