電化學腐蝕法制備納米硅薄膜的結構和發(fā)光特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文采用電化學腐蝕法制備多孔硅,通過浸泡液分離多孔層后,在表面形成豐富的SiO<,x>包裹納米硅線和納米孔,測量了它們室溫下的光致發(fā)光(PL)譜和電致發(fā)光(EL)譜,采用SEM、TEM、AFM、XPS、FTIR對樣品表面的結構和組分進行了表征.在250nm波長的激發(fā)下,分離多孔層后PL譜強度對分離前約有10倍的增幅,峰位主要在藍紫光范圍內.經干氧退火后,發(fā)光強度隨退火溫度升高而增強,峰位不變;在樣品表面鍍上半透明Au膜后制備出電致發(fā)光

2、器件,在正向偏壓下樣品可以長時間穩(wěn)定的發(fā)出綠光(510nm),并且隨著偏壓的升高,強度升高,峰位不變,在剝離多孔層后的樣品采用雙離子束濺射法在表面鍍一層碳膜后制備的電致發(fā)光器件,相對于未鍍碳膜的樣品具有更強、更穩(wěn)定的發(fā)光.結合SEM、AFM、TEM、XPS、FTIR的結果對分離多孔層后樣品的PL和EL變化進行分析后認為,分離前納米多孔層結構的脆弱和內部成分不穩(wěn)定使得多孔硅發(fā)光峰位和強度不穩(wěn)定,而分離多孔層后表面形成結構和成分均很穩(wěn)定的S

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