2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜具有良好的導(dǎo)電性、優(yōu)異的透明度等光電特性,已在光伏電池組件、平面顯示器、觸控面板、發(fā)光二極管(LEDs)、氣敏傳感器等不同領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。值得注意的是,TCO薄膜的透明度和導(dǎo)電性往往是矛盾和相互抑制的。而在應(yīng)用于許多光電器件尤其是太陽能電池時,良好的綜合光電性能是迫切需要的。為了滿足高透明度和低方阻的應(yīng)用需求,人們對TCO薄膜的研究除了集中于制備方法上外,還包括對制備好的TCO膜進行后續(xù)處理(如表面微納米

2、結(jié)構(gòu)復(fù)合、熱退火、激光退火)和雙層/多層復(fù)合優(yōu)化。
   在TCO薄膜中,摻氟二氧化錫(FTO)薄膜成本相對較低(不含昂貴的銦元素),且熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好,近些年也得到了廣泛的研究和應(yīng)用。但是與摻錫氧化銦(ITO)薄膜相比,F(xiàn)TO薄膜的導(dǎo)電性略差,且相關(guān)工藝及后續(xù)處理研究不夠深入,性能優(yōu)化途徑方面還有拓展空間,這些都需要材料學(xué)界的研究者進一步研究辨識和探討?;诖?,本文以FTO透明導(dǎo)電膜為對象,開展了表面金屬微納米粒子復(fù)合、

3、熱退火處理、表面激光處理、雙層復(fù)合優(yōu)化與后續(xù)處理等方面的研究,獲得了一些有意義的結(jié)果。
   1、采用直流磁控濺射法和管式爐內(nèi)熱退火處理的方法在FTO膜表面復(fù)合Ag粒子結(jié)構(gòu),對比了不同基片材料表面Ag粒子形成的條件,重點討論了退火溫度、退火時間和原始Ag膜厚度對FTO膜表面Ag粒子的形成和形貌以及薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明,與單晶硅和載玻片基片相比,F(xiàn)TO膜表面開始形成Ag粒子所需的退火溫度更低,退火時間更短。實驗中選用原始A

4、g膜厚度為200nm、退火溫度為500℃左右、退火時間為20~30min時可在FTO膜表面獲得形態(tài)相對良好的Ag粒子,此時在薄膜透射率曲線上出現(xiàn)對應(yīng)于Ag粒子表面等離子體共振吸收的透射峰。
   2、采用管式爐中熱退火的方法對FTO薄膜進行了退火處理,研究了不同的氣氛條件、退火溫度和退火時間等對薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電性能的影響,深入分析了造成這些影響的機理,并通過計算性能指數(shù)對各薄膜樣品的綜合光電性能進行了評價。結(jié)果表明,在氮

5、氣、空氣和氧氣中退火時,薄膜結(jié)晶性均得到一定的改善,但在氮氣中退火后薄膜的綜合光電性能最好。在氮氣中退火時,退火時間對FTO膜透光率和方塊電阻的影響不如退火溫度的影響顯著,且500℃下退火20min后FTO膜的綜合光電性能最好,性能指數(shù)為5.56×10-3Ω-1。
   3、采用波長為532nm的納秒脈沖激光對FTO膜表面進行輻照處理,研究了激光能量密度和掃描速度對薄膜表面形貌、透光率和導(dǎo)電性的影響。結(jié)果表明,激光能量密度和掃描

6、速度適中可使FTO膜表面獲得較好的退火效果,在激光作用區(qū)域內(nèi)的晶粒通過再結(jié)晶過程長大,使得其透光率提高,而方塊電阻卻減小。實驗中獲得的最佳激光參數(shù)為能量密度F=1.02J/cm2和掃描速度v=10mm/s,此時FTO膜在380~780nm波段的平均透光率由原來的75.4%提高到了82.7%,方塊電阻由原來的10.20Ω/□降低到了8.83Ω/□。
   4、采用直流磁控濺射法在FTO膜上鍍制摻鋁氧化鋅(AZO)膜制備出AZO/F

7、TO雙層復(fù)合膜,研究了AZO膜層厚度對AZO/FTO雙層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)和微觀形貌以及光電性能的影響,初步探討了其影響機理。結(jié)果顯示,隨著AZO膜層厚度的增大,AZO/FTO膜的表面粗糙度逐漸降低,方塊電阻先減小后變化趨于平緩,透光率則先增大后減小。實驗中,AZO膜層厚度為495nm的AZO/FTO雙層復(fù)合膜具有最佳的光電性能,性能指數(shù)達到1.43×10-2Ω-1。
   5、對優(yōu)化制備的AZO/FTO雙層復(fù)合膜進行后續(xù)熱退火處理和激

8、光表面輻照處理,進一步實現(xiàn)了薄膜性能優(yōu)化,研究了不同參數(shù)下AZO/FTO膜形貌和光電性能的變化。結(jié)果顯示,熱退火可提高薄膜的致密度和平整度,薄膜的透光率隨著退火溫度升高或退火時間延長而小幅度提高,而方塊電阻在溫度達到300℃前已有較大程度的下降,其后溫度的升高及500℃下退火時間的延長對AZO/FTO膜的方塊電阻的影響并不顯著;激光輻照處理也可對AZO/FTO膜起到一定退火作用,采用1.02J/cm2的能量密度和10mm/s的掃描速度處

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