IGBT驅動芯片的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著IGBT在電力電子技術中的廣泛應用，其驅動模塊的設計也備受關注。因為它是提高能量轉換效率和保護IGBT的關鍵器件，它是強電和弱點的接口，是IGBT門極控制的直接動力，又是檢測IGBT狀態(tài)的最直接方式，所以IGBT驅動芯片的設計既涉及對于IGBT功率半導體的特性了解，又要結合大規(guī)模集成電路制造的工藝現(xiàn)狀。
　　本文首先詳細討論了IGBT的結構和工作機理，以及它的基本應用拓撲，包括驅動和隔離等內容，旨在為驅動芯片的設計提供實際的應

2、用環(huán)境。因為IGBT可視為雙極型大功率晶體管和功率場效應晶體管的復合，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。所以開關過程較為復雜，而且開關時間不對稱，關斷時存在拖尾現(xiàn)象。為了針對IGBT驅動進行設計，因此對IGBT的討論占用了不少的篇幅。
　　另外，它的基本應用系統(tǒng)和切實可行的工藝選擇也是設計一款芯片必備的條件。IGBT一般用于逆變電路，上下臂電壓差別很大，因此需要隔離;IGBT驅動對于電壓電流的要求較高，同時又要集成保護

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