基于聯(lián)合仿真的RTL級故障行為研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著芯片制造工藝的進(jìn)步以及芯片制造行業(yè)對摩爾定律的恪守,芯片尺寸已經(jīng)進(jìn)入納米級的標(biāo)準(zhǔn)了,但是,芯片工作電壓并沒有因此而同比減小,從而導(dǎo)致了工作電流密度和工作溫度的升高。這使處理器在引發(fā)瞬時(shí)故障外,更易引發(fā)間歇故障,加大了對處理器的威脅?;诜抡娴墓收献⑷刖哂辛己玫目捎^察性和可控性,但是傳統(tǒng)的仿真方法只能在硬件層面觀察故障行為,對故障的向上層傳播以及在應(yīng)用級的表現(xiàn)的觀察無能為力。軟硬件聯(lián)合仿真的方法克服了這一局限,成為集成電路設(shè)計(jì)中的主流

2、驗(yàn)證方法。
  本文研究了聯(lián)合仿真驗(yàn)證環(huán)境,基于OpenSPARC開源項(xiàng)目的兩個(gè)模擬器,搭建了聯(lián)合仿真的故障注入和故障分析平臺(tái),實(shí)現(xiàn)了在寄存器傳輸級模擬器中注入故障,并在微結(jié)構(gòu)級、結(jié)構(gòu)級、處理器級以及應(yīng)用程序級上觀察故障的表現(xiàn)與傳播,對處理器的可靠性提供量化評價(jià)指標(biāo)。
  本文首先分析了在OpenSPARC聯(lián)合仿真驗(yàn)證環(huán)境中的寄存器傳輸級模擬器和結(jié)構(gòu)級模擬器,研究了聯(lián)合仿真環(huán)境下模擬器的交互方式,并在此基礎(chǔ)上完成了可以運(yùn)行操

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