

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、擴(kuò)散制作P-N結(jié)是晶體硅電池的核心,也是影響電池質(zhì)量好壞的關(guān)鍵因素之一。對(duì)于擴(kuò)散工藝而言,擴(kuò)散均勻性好,可以提高電池的后續(xù)參數(shù)的可控性。擴(kuò)散的均勻性直接體現(xiàn)在硅片形成的P-N結(jié)結(jié)深的差異上:均勻性好代表著結(jié)深的差異性較小;反之結(jié)深差距較大。結(jié)深差距大會(huì)使多種衡量太陽(yáng)能電池的重要參數(shù)波動(dòng)大,一致性差,生產(chǎn)出的電池片質(zhì)量得不到保證。在生產(chǎn)過(guò)程中通常采用方塊電阻阻值的均勻性來(lái)衡量P-N結(jié)結(jié)深的均勻性。
本文首先對(duì)影響擴(kuò)散雜質(zhì)均勻性的
2、因素進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析,然后提出提高擴(kuò)散雜質(zhì)均勻性的改進(jìn)性實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),并通過(guò)具體實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。對(duì)影響擴(kuò)散均勻性的因素研究主要包括:(a)設(shè)備方面主要研究了擴(kuò)散爐口的密封性對(duì)擴(kuò)散均勻性的影響。當(dāng)密封性不好時(shí),尾氣從爐口泄露而出,從尾氣管流出的尾氣減少,因而尾氣管的溫度下降,導(dǎo)致尾氣管處擴(kuò)散的雜質(zhì)濃度下降,影響了擴(kuò)散雜質(zhì)均勻性;(b)在工藝參數(shù)方面,主要分析研究了氣流配比、低溫沉積時(shí)間、通磷源的時(shí)間和溫度對(duì)擴(kuò)散均勻性的影響。大氮流量22L/min改
3、為25L/min,小氮流量從1.1L/min改為1.3L/min,氧氣流量從1.0L/min降到0.8L/min,同時(shí)增加3分鐘的低溫通源時(shí)間,擴(kuò)散溫度降低了5度。我們比較了更改前后擴(kuò)散方塊電阻數(shù)據(jù),在均值水平為35Ω/□的條件下,經(jīng)過(guò)參數(shù)調(diào)節(jié)后的爐口方塊電阻極差減少3Ω/□左右,爐中方塊電阻極差減少2Ω/□左右,擴(kuò)散雜質(zhì)均勻性提高;(c)簡(jiǎn)要分析研究了均流板設(shè)計(jì)、廢棄排放位置、排風(fēng)量大小對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)均勻性的影響。
在對(duì)影響均勻
4、性因素分析研究的基礎(chǔ)上,提出了工藝的流程改進(jìn)——兩部擴(kuò)散法。即低溫沉積、高溫推進(jìn)擴(kuò)散方式,替代傳統(tǒng)的單步恒溫?cái)U(kuò)散,通過(guò)實(shí)驗(yàn),得出優(yōu)化的擴(kuò)散條件:低溫600~800度時(shí)通源沉積P2O5,高溫850~880度時(shí)推進(jìn),沉積時(shí)間10min,小氮流量設(shè)定為1000mL/min,氧氣量至少為25mL/min,試驗(yàn)選取過(guò)量的氧氣,保證POCl3完全反應(yīng)。擴(kuò)散的不均勻度由10.6%降低到5.09%,同時(shí)用軟件對(duì)結(jié)果進(jìn)行模擬驗(yàn)證和測(cè)試,也證明改進(jìn)后流程的
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝
- 太陽(yáng)能電池片擴(kuò)散工藝
- 晶體硅太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散工藝設(shè)計(jì)探究論文正文
- 商業(yè)化Cz-Si太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散工藝的研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散工藝與電學(xué)特性仿真研究.pdf
- 晶體硅太陽(yáng)電池制作中的擴(kuò)散工藝研究.pdf
- 單晶硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散工藝研究.pdf
- 擴(kuò)散工藝培訓(xùn)初次
- 自制太陽(yáng)能電池方法1
- 氧摻雜和界面修飾提高有機(jī)太陽(yáng)能電池效率.pdf
- 太陽(yáng)能電池
- 疊層鈍化及一種高效太陽(yáng)能電池的研究.pdf
- 稀土摻雜CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的研究.pdf
- 提高太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的研究.pdf
- 基于太陽(yáng)能電池效率提高的對(duì)電極修飾工藝.pdf
- 多層太陽(yáng)能電池
- gaas太陽(yáng)能電池
- 太陽(yáng)能電池原理
- 黑硅太陽(yáng)能電池的工藝研究.pdf
- 用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的微控?cái)U(kuò)散-氧化系統(tǒng)設(shè)計(jì).pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論