WO3-維納米結(jié)構(gòu)場效應(yīng)性能研究.pdf

1、一維納米材料（納米管和納米線）以其獨特的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學性質(zhì)，最有希望成為構(gòu)筑納米電子學和納米光電子學的理想功能元器件。三氧化鎢(WO3)納米線在電致變色、氣敏傳感器、鋰離子電池、阻變存儲器和超導等方面具有顯著特性，受到了廣泛的關(guān)注與研究。但對WO3納米線場效應(yīng)性能的研究相對來說就很少。
　　 本論文用簡單的水熱法，合成了具有良好單分散性的WO3一維納米結(jié)構(gòu)。利用深紫外光刻等工藝，構(gòu)筑了基于單根WO3納米線的“金屬/半導

2、體/金屬”結(jié)構(gòu)的納米器件。運用LabVIEW編程語言，結(jié)合Keithley2602源測單元等實驗儀器實現(xiàn)對WO3納米線器件在不同情況下的電輸運性能的測試。主要研究了WO3納米線器件的場效應(yīng)特性，以及電壓掃描速率、退火時間、氣體環(huán)境對WO3納米線器件的場效應(yīng)特性的影響。主要內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　 1.在室溫下空氣中測試WO3納米線器件，得到性能良好的場效應(yīng)特性曲線。
　　 2.在室溫下空氣中，采用不同的電壓掃描速率測試WO

3、3納米線器件，發(fā)現(xiàn)電壓掃描速率越慢，器件的漏極電流IDS越大，場效應(yīng)越明顯。
　　 3.把WO3納米線器件在還原性氣體H2中退火后，再在室溫下空氣中測試，WO3納米線器件表現(xiàn)出更好的場效應(yīng)特性，更高的電導率，并出現(xiàn)電流回滯，即憶阻性。而且退火時間越長，漏極電流IDS就越大，場效應(yīng)越明顯。
　　 4.對退火后的納米線器件在室溫下真空中測試，納米線器件的場效應(yīng)性能依然存在，憶阻性能卻消失了。
　　 5.研究了WO3納