一種CBSLOPLDMOS及其源極浮動SENSE FET器件設(shè)計.pdf

1、高壓功率器件作為電源管理芯片的重要組成部分，緩解其耐壓和比導通電阻的矛盾關(guān)系一直是該領(lǐng)域的研究熱點。叉指狀結(jié)構(gòu)橫向高壓MOSFET器件的源端指尖部分由于掩膜板為弧形所造成橫向曲率效應容易導致器件提前擊穿。另外，模擬系統(tǒng)中常利用SENSE FET做電流檢測，實現(xiàn)電流模式控制電源管理芯片或者過流保護等作用，而檢測器件的源極不易浮動問題會影響電流檢測準確性?；诖耍疚闹攸c研究一種高耐壓、低導通電阻的LDMOS結(jié)構(gòu)，及其源極浮動的SENSE

2、FET器件。本文主要內(nèi)容如下：
　　1．研究CBSLOP LDMOS器件。引入CBSLOP結(jié)構(gòu)，有效改善器件耐壓和比導通電阻的矛盾關(guān)系。從漂移區(qū)濃度、P/N條劑量、電荷平衡等方面研究各參數(shù)對器件耐壓和電阻的影響。
　　2．解決橫向曲率效應問題。對叉指狀版圖源端指尖部分采用襯底終端技術(shù)，擴大曲率半徑，有效緩解曲率效應，避免器件提前擊穿。利用Silvaco軟件，采用圓柱坐標，仿真分析體區(qū)P-body長度和襯底終端部分的參數(shù)對器件