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文檔簡介
1、隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,功率器件的研究受到了廣泛關(guān)注,SOI(Silicon-on-Isolation) 技術(shù)以其理想的介質(zhì)隔離性能,相對簡單的隔離工藝受到研究的重視。但是相比于體硅功率器件,SOI 功率器件的縱向耐壓小,這是由于埋氧層的引入削弱了RESURF效應(yīng)。另外,在較厚埋層的情況下,器件有著明顯的自加熱和Kink效應(yīng),這對于器件性能的穩(wěn)定性影響顯著。 本文提出了新型的埋層材料來達(dá)到減小SOI LDMOS的兩個主要缺點
2、的目的。首先,研究了SON(Silicon-on-Nothing) LDMOS器件,該器件采用了介電常數(shù)更小的真空作為埋層,改進(jìn)了SOI LDMOS中縱向耐壓小的缺點,并且因為可以將空洞埋層做的更薄,這在一定程度上也改進(jìn)了器件的自加熱效應(yīng)。 但是,對于SON LDMOS而言,MOS功率器件常見的較長漂移區(qū)可能帶來問題,因為空洞層會引起器件縱向機(jī)械強(qiáng)度的減小,而且在后續(xù)的封裝中也可能引入問題。為此,本文又提出了一種新型的多孔硅LD
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