有機半導體電荷輸運的數(shù)值模擬計算.pdf

1、在研究有機半導體的進程中提高器件的光電性能一直是研究所追求的目標，而影響器件性能的關鍵因素便是有機半導體薄膜中的電荷輸運機理。所以研究有機半導體材料中電荷輸運性質(zhì)就顯得尤為重要。
　　首先，本文基于偶極子無序模型，研究了有機半導體格點能量之間存在空間關聯(lián)的物理機理，通過數(shù)值計算得到了簡立方晶格和體心立方晶格模型下格點能量的約化關聯(lián)函數(shù)，驗證了有機半導體器件的空間關聯(lián)存在性。為了獲得有機半導體中電荷的輸運特性質(zhì)，再基于關聯(lián)無序模型(

2、CDM)，從求解晶格間的電荷躍遷主方程的數(shù)值解出發(fā)，模擬計算了有機半導體載流子遷移率對溫度、電場及載流子濃度的依賴關系。
　　其次，本文從Vissenberg-Matters模型出發(fā)，研究了不同有機層厚度下有機半導體場效應管中載流子的輸運特性。在滿足一定的溫度和柵極電壓條件下，得出了三維情況下有機半導體場效應管源漏電流隨有機層厚度和柵極電壓的變化關系。針對基于聚噻吩乙炔(PTV)的場效應管進行數(shù)值模擬，模擬的結(jié)果表明，隨有機層厚度