GaN-MOCVD反應(yīng)室的CFD數(shù)值模擬計(jì)算.pdf_第1頁
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1、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是當(dāng)今最先進(jìn)、最主要的制備半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)，特別是在制備GaN基LED方面具有廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求。MOCVD設(shè)備的反應(yīng)室是核心部件，反應(yīng)室設(shè)計(jì)的優(yōu)劣直接關(guān)系到其所生長(zhǎng)薄膜的質(zhì)量。利用計(jì)算機(jī)對(duì)反應(yīng)室進(jìn)行建模仿真研究，是研究反應(yīng)室不可或缺的方法。本文采用FLUENT軟件對(duì)MOCVD設(shè)備反應(yīng)室進(jìn)行了二維數(shù)學(xué)模型分析與計(jì)算。
　　 文中分析了設(shè)備的工藝參數(shù)和反應(yīng)室?guī)缀谓Y(jié)構(gòu)對(duì)反應(yīng)室內(nèi)流場(chǎng)和溫

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