2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、伴隨電子工業(yè)的快速發(fā)展，集成電路的小型化是重要的發(fā)展趨勢(shì)，具有高介電常數(shù)的嵌入式電容器是其小型化的前提;高介電無(wú)機(jī)/聚合物復(fù)合材料可以集合無(wú)機(jī)材料的高介電和有機(jī)高分子材料的易加工性，其研究制備具有重要的意義。本文采用溶膠-凝膠法制備了納米鈣銅鈦氧顆粒(α-CCTO)，α-CCTO為非晶陶瓷，又相應(yīng)制備了晶體鈦酸銅鈣(CCTO)，并制備了高介電的α-CCTO/PI和CCTO/PI復(fù)合薄膜，分析其介電機(jī)制。
　　本文以溶膠-凝膠法在3

2、00℃燒結(jié)制備了非晶體的納米顆粒α-CCTO，介電常數(shù)隨頻率急劇下降，在全頻率范圍內(nèi)介電常數(shù)遠(yuǎn)低于1050℃燒結(jié)的晶體CCTO的介電常數(shù);通過(guò)原位聚合法制備了低濃度摻雜的α-CCTO/PI復(fù)合薄膜，復(fù)合薄膜顯示良好的分散性并且低濃度摻雜能保持PI薄膜的加工性能;在3vo1％時(shí)，復(fù)合薄膜的介電常數(shù)為4.4，高于10vol％的CCTO/PI復(fù)合薄膜介電常數(shù)3.8，相比于純PI介電常數(shù)3.4，在此濃度摻雜下介電常數(shù)提高很明顯。
　　α-

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