納米器件電荷共享效應(yīng)研究.pdf

1、我國(guó)航空航天技術(shù)正飛速發(fā)展，有越來(lái)越多的微電子器件、集成電路系統(tǒng)工作在外太空的輻射環(huán)境中，其中單粒子效應(yīng)是影響電子系統(tǒng)正常工作的主要原因。而隨著工藝特征尺寸的縮減并且進(jìn)入納米時(shí)代后，由單粒子效應(yīng)所引發(fā)的電荷共享效應(yīng)問(wèn)題已經(jīng)異常嚴(yán)峻了。
　　電荷共享導(dǎo)致多個(gè)節(jié)點(diǎn)收集電荷，會(huì)引發(fā)多位瞬態(tài)脈沖和多位翻轉(zhuǎn)，這樣嚴(yán)重影響器件和電路的性能。一些傳統(tǒng)的對(duì)于單個(gè)器件的抗輻射加固方案隨著電荷共享加強(qiáng)而失效，尤其進(jìn)入納米工藝，單粒子所打入器件內(nèi)所輻射

2、的范圍大大增大，電荷共享所帶來(lái)的影響已經(jīng)無(wú)法忽略，因此本文將在以下幾個(gè)方面進(jìn)行全面研究。
　　本文基于TSMC65nm工藝，并利用Sentaurus TCAD軟件建立模型并研究NMOS和PMOS在電荷共享的物理機(jī)理，通過(guò)不同工藝尺寸對(duì)比觀察雙極放大效應(yīng)的變化。其次，通過(guò)不同入射條件、工藝條件，版圖布局來(lái)觀察電荷共享變化情況。最后，將研究SRAM基本單元的翻轉(zhuǎn)再恢復(fù)效應(yīng)，并證明電荷共享是導(dǎo)致其翻轉(zhuǎn)再恢復(fù)的原因，并研究了P+深阱濃度對(duì)