應(yīng)變硅納米MOS器件研究.pdf

1、隨著MOS器件進(jìn)入納米時(shí)代，等比例縮小帶來(lái)的諸多物理、工藝方面的限制極大地影響著MOS器件的性能。具有高載流子遷移率且與傳統(tǒng)硅工藝兼容的應(yīng)變硅技術(shù)，已成為MOS集成電路延續(xù)摩爾定律的重要技術(shù)之一。
　　 本文深入研究分析了應(yīng)變硅的晶格結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和載流子遷移率等基本物理特性，同時(shí)介紹了納米N/PMOS器件應(yīng)力類型、雙軸應(yīng)變和單軸應(yīng)變技術(shù)及主要的應(yīng)力引入方法，為后續(xù)研究工作奠定理論與技術(shù)基礎(chǔ)。
　　 基于納米MOS器件存

2、在的各種問(wèn)題，本文重點(diǎn)研究了器件的源漏結(jié)構(gòu)和其溝道結(jié)構(gòu)。源漏采用SDE結(jié)構(gòu)抑制熱載流子效應(yīng)，溝道采用Halo結(jié)構(gòu)和逆向摻雜結(jié)構(gòu)避免穿通效應(yīng)。
　　 本文以65nmNMOS應(yīng)變硅器件為例，研究了器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化。分析了SiN膜的厚度、施加在SiN膜的本征應(yīng)力以及多晶硅柵的厚度對(duì)引入溝道的應(yīng)力影響。然后不但對(duì)影響應(yīng)力大小和應(yīng)力分布的參數(shù)做出了優(yōu)化；而且為了減小短溝道效應(yīng)的各種影響，對(duì)于納米器件提出的各種結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真。最終得到了65nm