納米MOS器件中的量子效應(yīng)分析及其模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本課題描述了納米體MOS器件中的量子隧穿效應(yīng)和能量量子化效應(yīng)的物理機制，用自洽求解薛定諤．泊松方程組的方法模擬了直接隧穿導(dǎo)致的柵隧穿漏電流和能級量子化導(dǎo)致的柵電容退化。 采用基于自洽求解薛定諤-泊松方程組的量子修正方法，研究分布于量子化離散子能級上的載流子反型層電荷密度分布和柵極電壓之間的關(guān)系。建立考慮了能量量子化對載流子分布影響的C-V特性的量子修正模型，并模擬預(yù)測了納米MOS器件的C-v特性，模擬表明納米MOS器件的柵電容顯

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