CoW磁性薄膜的微觀結(jié)構(gòu)表征及其磁各向異性.pdf

1、信息時(shí)代的今天，磁記錄是主要的存儲(chǔ)手段。隨著計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展，人們需要越來(lái)越高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度，垂直磁記錄介質(zhì)是實(shí)現(xiàn)超高密度垂直磁存儲(chǔ)的重要一環(huán)。Co-W合金由于具有較高的磁晶各向異性能，有望成為下一代高密度磁記錄介質(zhì)材料，因而得到廣泛的關(guān)注。
　　本文通過(guò)磁控濺射技術(shù)制備了系列不同成分與厚度的Co-W合金薄膜，并利用X-射線衍射技術(shù)和振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)對(duì)薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)取向及磁性能進(jìn)行了研究，探討了晶體結(jié)構(gòu)與磁晶各

2、向異性能之間的關(guān)系，揭示了磁性層磁晶各向異性能的主要影響因素。獲得了如下主要研究結(jié)果:
　　(1)在具有hcp結(jié)構(gòu)的Ru下底層上實(shí)現(xiàn)了hcp結(jié)構(gòu)Co基薄膜的外延取向生長(zhǎng)，MgO(111)//Ru(00·2)//Co-W(00·2)具有良好的取向附生關(guān)系。Omega掃描和Φ掃描結(jié)果表明Co-W薄膜成膜質(zhì)量良好。
　　(2)隨著磁性層薄膜厚度的增加，Co(00·2)衍射峰強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)，且衍射峰位向左稍有偏移。隨著W含量的增加，C

3、o(00·2)峰明顯向衍射角減小的方向移動(dòng)。
　　(3)外延生長(zhǎng)薄膜中產(chǎn)生的原子堆垛層錯(cuò)主要為生長(zhǎng)層錯(cuò)，且生長(zhǎng)層錯(cuò)α密度均低于10％，堆垛層錯(cuò)中沒(méi)有變形層錯(cuò)存在。生長(zhǎng)堆垛層錯(cuò)密度和fcc/hcp體積百分?jǐn)?shù)基本保持恒定，不隨Co-W磁性薄膜的成分和厚度而變化。
　　(4)隨著W含量的增加，飽和磁化強(qiáng)度Ms單調(diào)降低，由純Co的1400emu/cc降低到14％W時(shí)的500emu/cc。
　　(5) Co-W薄膜的晶格常數(shù)a和