NiCo薄膜各向異性磁電阻效應(yīng).pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩45頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、本文研究了緩沖層和退火工藝對Ni_(74)Co_(26)薄膜AMR的影響,就不同緩沖層和不同溫度退火后NiCo薄膜AMR值的變化做出了比較和分析,為較薄NiCo薄膜的AMR值的提高和實(shí)際應(yīng)用提供了參考數(shù)據(jù)。取得的結(jié)果可歸納如下:(1)制備了(Ni_(81)Fe_(19))_(66)Cr_(34)(xnm)/Ni74Co~(20nm)薄膜,考察了緩沖層厚度對薄膜的影響。結(jié)果表明隨著NiFeCr緩沖層增厚,NiCo薄膜AMR值增加,當(dāng)緩沖層

2、厚度達(dá)到5nm時(shí)其AMR值達(dá)到最大,而后NiCo薄膜AMR值隨著緩沖層厚度的增大開始減小,當(dāng)緩沖層厚度超過9nm后,薄膜AMR值迅速減小。(2)制備了NiFeCr(5nm)/NiCo(xnm)/Ta(3nm);Ta(5nm)/NiCo(xnm)/Ta(3nm)兩組樣品,比較了NiFeCr和Ta做緩沖層對NiCo薄膜各向異性磁電阻的影響。結(jié)果表明無論用NiFeCr還是Ta做緩沖層,NiCo薄膜的各向異性磁電阻都隨著NiCo薄膜厚度的減小而

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論