二維過渡金屬硫族化合物納米片的制備及其光熱抗菌的研究.pdf

1、二維過渡金屬硫族化合物（2D TMDCs）作為一種類石墨烯材料在近年受到了來自全世界研究者的熱切關(guān)注。當(dāng)塊體的TMDCs被剝離成超薄納米片層時(shí)它的電子結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生顯著變化。超薄二維納米結(jié)構(gòu)使TMDCs材料具備了獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)、化學(xué)以及催化特性，這使其在如太陽能電池、產(chǎn)氫催化、鋰電池、生物傳感等諸多領(lǐng)域都有非常好的應(yīng)用。
　　制備2D TMDCs納米片層材料的方法中，機(jī)械剝離與化學(xué)氣相沉積都可以制備出單層2D TMDCs納米片，但都

2、存在產(chǎn)量過低，工藝繁瑣的問題；膠體化學(xué)產(chǎn)量較高，但可控性與重復(fù)性較差；液相剝離法的優(yōu)點(diǎn)是方法簡便，但很難得到單層的2D TMDCs納米片，且產(chǎn)率較低；化學(xué)插層法可以制備單層的2D TMDCs納米片，且方法簡單容易操作，相對而言通用性較高，但也存在反應(yīng)時(shí)間較長，產(chǎn)量較低，需要高溫等問題。本文利用超聲機(jī)制可以在微小區(qū)域提供局部的高溫高壓這一特點(diǎn)，采用超聲方法改進(jìn)傳統(tǒng)化學(xué)插層法，分別制備了MoS2、WS2、TiS2三種二維納米材料，并探討了超

3、聲增強(qiáng)化學(xué)插層方法的機(jī)理。文章主要分為以下三個(gè)部分：
　　1.開發(fā)出了一種超聲增強(qiáng)鋰插層方法，快速高產(chǎn)量的制備出了單層 MoS2納米片，并探索了這一方法的反應(yīng)機(jī)制。
　　2.利用超聲增強(qiáng)鋰插層方法制備出了單層WS2納米片與單層TiS2納米片，證明該方法具備了一定的通用性，可以制備相對較難剝離的二維納米材料。
　　3.針對抗生素濫用這一問題，本文利用MoS2納米片優(yōu)秀的近紅外光熱特性，采用金黃色葡萄球菌抗體修飾MoS2納