有機(jī)電致發(fā)光器件電極的制備及其性能研究.pdf

1、有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）是繼等離子顯示技術(shù)和液晶顯示技術(shù)之后新一代的平板顯示技術(shù)，具有主動發(fā)光、能耗小、結(jié)構(gòu)簡單、快速響應(yīng)等優(yōu)點，引起了全球科研工作者的高度關(guān)注，但OLED目前仍存在一些問題使其未得到大范圍普及，器件效率、穩(wěn)定性以及壽命等問題。電極材料在器件的工作中扮演著重要的角色，目前應(yīng)用最為廣泛的OLED電極材料為氧化銦錫（ITO），其具有高達(dá)90％的可見光透過率，導(dǎo)電性能優(yōu)秀等優(yōu)點。由于常用有機(jī)材料一般具有高HOMO能級，空穴

2、在陽極與有機(jī)層之間傳輸時具有較高的勢壘，導(dǎo)致空穴傳輸效率受限。對電極進(jìn)行優(yōu)化與修飾是目前重要的研究點之一，本文將就ITO電極的優(yōu)化進(jìn)行研究。
　　本論文采用反應(yīng)射頻磁控濺射法在不同基底溫度、氧分壓下制備了ITO薄膜，采用射頻與直流雙靶反應(yīng)共濺射制備了釩、鉻、錳三種元素?fù)诫s的ITO薄膜。用 XRD、SEM、UV-VIS、臺階儀、四探針等材料分析技術(shù)，研究了溫度和氧分壓以及不同金屬摻雜對ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)

3、果表明：
　?。?）基底溫度的改變未能對ITO薄膜晶體的擇優(yōu)生長取向造成影響。通過分析光學(xué)吸收數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，ITO薄膜的光學(xué)帶隙隨著基底溫度的增高而增加。濺射過程中氧分壓的增加降低了ITO薄膜的結(jié)晶度，同時由于氧空位的減少導(dǎo)致導(dǎo)電性能嚴(yán)重下降。
　?。?）在釩、鉻、錳的摻入之后ITO仍能保持沿(222)晶面擇優(yōu)生長，但衍射峰強(qiáng)度有所減弱，表面粗糙度增加。光學(xué)性質(zhì)方面，在摻雜量較低的條件下，摻雜ITO薄膜的光學(xué)透過率依然可以保持8