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1、有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是繼等離子顯示技術(shù)和液晶顯示技術(shù)之后新一代的平板顯示技術(shù),具有主動(dòng)發(fā)光、能耗小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),引起了全球科研工作者的高度關(guān)注,但OLED目前仍存在一些問題使其未得到大范圍普及,器件效率、穩(wěn)定性以及壽命等問題。電極材料在器件的工作中扮演著重要的角色,目前應(yīng)用最為廣泛的OLED電極材料為氧化銦錫(ITO),其具有高達(dá)90%的可見光透過率,導(dǎo)電性能優(yōu)秀等優(yōu)點(diǎn)。由于常用有機(jī)材料一般具有高HOMO能級(jí),空穴
2、在陽(yáng)極與有機(jī)層之間傳輸時(shí)具有較高的勢(shì)壘,導(dǎo)致空穴傳輸效率受限。對(duì)電極進(jìn)行優(yōu)化與修飾是目前重要的研究點(diǎn)之一,本文將就ITO電極的優(yōu)化進(jìn)行研究。
本論文采用反應(yīng)射頻磁控濺射法在不同基底溫度、氧分壓下制備了ITO薄膜,采用射頻與直流雙靶反應(yīng)共濺射制備了釩、鉻、錳三種元素?fù)诫s的ITO薄膜。用 XRD、SEM、UV-VIS、臺(tái)階儀、四探針等材料分析技術(shù),研究了溫度和氧分壓以及不同金屬摻雜對(duì)ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)
3、果表明:
?。?)基底溫度的改變未能對(duì)ITO薄膜晶體的擇優(yōu)生長(zhǎng)取向造成影響。通過分析光學(xué)吸收數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn),ITO薄膜的光學(xué)帶隙隨著基底溫度的增高而增加。濺射過程中氧分壓的增加降低了ITO薄膜的結(jié)晶度,同時(shí)由于氧空位的減少導(dǎo)致導(dǎo)電性能嚴(yán)重下降。
?。?)在釩、鉻、錳的摻入之后ITO仍能保持沿(222)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng),但衍射峰強(qiáng)度有所減弱,表面粗糙度增加。光學(xué)性質(zhì)方面,在摻雜量較低的條件下,摻雜ITO薄膜的光學(xué)透過率依然可以保持8
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