基于低壓驅(qū)動有機電致發(fā)光器件的制備及其性能研究.pdf

1、有機電致發(fā)光器件(OLED)因具有高亮度，寬視角以及全彩顯示等特點，在顯示和照明領(lǐng)域均顯示出良好的應(yīng)用前景。而對于在大多數(shù)的照明和顯示領(lǐng)域應(yīng)用中要求OLED具備較低的工作電壓，在低壓驅(qū)動下能夠提高效率，延長壽命，提高器件的穩(wěn)定性。因此，低壓驅(qū)動是實現(xiàn)OLED器件的商業(yè)化應(yīng)用中的重要技術(shù)之一。
　　 本論文圍繞實現(xiàn)低壓驅(qū)動來探索制備了一系列的OLED器件，并對其發(fā)光性能進行了詳細的研究，具體研究內(nèi)容如下:
　　 利用Bph

2、en摻雜CuPc作為電子注入層制備了低壓驅(qū)動的藍光器件，降低藍光器件的啟亮電壓和驅(qū)動電壓，并提高了器件的發(fā)光效率。電子注入層的厚度是5nm，摻雜濃度為50％時，器件的發(fā)光性能最佳，最優(yōu)化的器件啟亮電壓和驅(qū)動電壓(1000cd/m2時)分別是3.6V和6.5V，與傳統(tǒng)器件相比，啟亮電壓降低了和驅(qū)動電壓分別降低了0.3V和1.3V。
　　 在空穴傳輸層采用量子阱結(jié)構(gòu)。在空穴傳輸層采用了MoO3/NPB量子阱結(jié)構(gòu)，提高了空穴的注入和傳

3、輸能力，改善了發(fā)光層中載流子的平衡分布，降低了器件的啟亮電壓和驅(qū)動電壓，同時提高了器件的功率效率。當MoO3的總厚度為5nm，量子阱的個數(shù)為2時，器件的發(fā)光性能最佳，與傳統(tǒng)器件相比，該器件的啟亮電壓降低了0.4V(2.8V);在亮度為1000cd/m2時，驅(qū)動電壓降低了1V(5.6V);器件在10V下的亮度為15060cd/m2，最大功率效率為2.98lm/W。
　　 采用C60和Alq3分別作為電子傳輸層和緩沖層制備了低壓驅(qū)動

4、的OLED器件。利用C60較高的載流子遷移率，最大程度地提高了電子的注入和傳輸能力。通過對C60和Alq3層的膜厚進行優(yōu)化，最佳厚度分別為20nm和3nm時，器件的發(fā)光性能得到很大的提高。與傳統(tǒng)器件相比，該器件的啟亮電壓降低了0.4V(2.8V);在1000cd/m2時，驅(qū)動電壓降低了1.9V(4.8V)，它們分別降低了12.5％和28.4％;器件的最大電流效率和功率效率為5.0cd/A和4.1lm/W，分別提高了6.8％和32.3％;

5、此外，通過觀察器件的電致發(fā)光光譜，C60的引入沒有改變器件的發(fā)光性質(zhì)。
　　 結(jié)合量子阱結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層和C60/Alq3的電子傳輸層及緩沖層，制備了低壓驅(qū)動OLED器件，并對其發(fā)光性能進行了研究。首先對MoO3的厚度進行了優(yōu)化，當MoO3的優(yōu)化厚度為2nm時，將其應(yīng)用到空穴傳輸層的量子阱結(jié)構(gòu)并與電子傳輸層及緩沖層的C60/Alq3結(jié)合，在低電場下，大幅提高了空穴和電子的注入和傳輸能力，進一步降低了器件的驅(qū)動電壓。該器件的啟亮電