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文檔簡介
1、有機電致發(fā)光顯示器件(OLED)在上世紀末成為了平板顯示領(lǐng)域一顆耀眼的明星。就平板顯示器而言,全彩色化水平是檢驗其是否在市場上具有競爭力的重要標志之一。因此制備色純度好、發(fā)光效率高、熱穩(wěn)定性好、壽命長的紅、綠、藍三基色發(fā)光材料及發(fā)光器件成了研究的焦點。高效率紅光OLED的制備及性能研究不僅具有理論意義,更關(guān)系到OLED實用化和商品化的快慢。本課題研究了不同電極材料、多種摻雜劑及不同摻雜工藝對紅光OLED顯示器件的影響及其機理;探討了有機
2、半導體的導電機制,在此基礎(chǔ)上成功制備出紅光OLED顯示器件并優(yōu)化了工藝參數(shù),提出了獲得高效紅光OLED顯示器件的新思路。 在OLED器件的制備及工藝研究中得到結(jié)論:經(jīng)過紫外線-臭氧或等離子表面處理的ITO表面功函數(shù)可以增大至5.0 eV以上,器件的發(fā)光效率及工作壽命都會提高;真空沉積有機薄膜時,蒸發(fā)速率控制在0.3~0.5nm/s可以在較大范圍內(nèi)獲得均勻性較高的薄膜;制備高效率紅光OLED摻雜劑濃度在0.5~2%(占基質(zhì)材料的摩
3、爾數(shù));可采用無機膜材料氮化硅、氧化銦等形成器件的保護膜,然后對其進行封裝,封裝工藝需在無水無氧的惰性氣體中進行。 在陰極材料對OLED性能影響的實驗中得到結(jié)論:Mg的真空蒸鍍屬于升華過程,并且在基底上較難沉積,當壓強下降到約2.6×10<'-3>Pa時,Mg原子才開始在玻璃基底上沉積;熱處理過程使Mg陰極薄膜的晶格排列更加致密、表面粗糙度降低、附著力增加。采用LiF/Al復合陰極的器件比采用Mg:Ag/Ag合金作為陰極的器件性
4、能更加優(yōu)越。Al陰極厚度為100nm時,器件性能最好,發(fā)光效率在10V時達到最大3.117cd/A。當LiF厚度為1nm時器件性能最佳,最大亮度為14,700cd/m<'2> ,發(fā)光效率在7V時最大,為3.117cd/A。 在空穴傳輸層NPB對OLED性能影響的實驗中得到結(jié)論:NPB的存在改變了ITO電極附近的電場分布,且對電極表面起到一定的修飾作用。NPB過薄或過厚都會影響器件的性能,當NPB厚度為50nm時器件的性能最好。
5、 在通過多種摻雜劑摻雜得到高效紅光OLED的機理和方法的研究中得到:Alq:DCM系統(tǒng)中(2×3)<'3>個.Alq分子中含有一個DCM分子,即0.46mol% 或0.31%可以得到純紅光;當DCM濃度更高時,通過波長紅移能獲得更高效的紅光;DCM濃度為1.7%或2.6%時,獲得的最高QY為61%;繼續(xù)增加DCM濃度會使QY值逐漸減小。在Alq中摻雜DMQA可以使紅光的發(fā)光強度增加,當DMQA的摻雜濃度0.56%為時,器件
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