有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的制備及性能研究.pdf

1、有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(OLED)在上世紀(jì)末成為了平板顯示領(lǐng)域一顆耀眼的明星。它具有主動(dòng)發(fā)光、寬視角、響應(yīng)速度快、低驅(qū)動(dòng)電壓、高分辨率、高亮度、優(yōu)秀的色飽和度等一系列優(yōu)點(diǎn)，在顯示和照明等光電領(lǐng)域具有誘人的前景。目前，國(guó)內(nèi)外已經(jīng)有大量的廠家、研究所以及高校投入了大量的人力和物力對(duì)其進(jìn)行開(kāi)發(fā)和研究。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了材料外，器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也十分重要。

2、 文章首先探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率；在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。 此外，文章研究了真空蒸鍍Mg電極薄膜的特性，因?yàn)檎翦冞^(guò)程直接影響著Mg膜的微觀結(jié)構(gòu)和各項(xiàng)特性，而進(jìn)一步調(diào)整優(yōu)化Mg膜的微觀

3、結(jié)構(gòu)可以改善器件的各項(xiàng)性能。為了增加基底的表面張力，使得Mg原子更好的附著，在沉積Mg膜之前，先對(duì)基底進(jìn)行等離子處理；通過(guò)采用不同的沉積速率沉積薄膜，發(fā)現(xiàn)金屬鎂難以形成良好的晶態(tài)膜；在不同的基底上沉積鎂膜后發(fā)現(xiàn)鎂膜的生長(zhǎng)存在擇優(yōu)取向的特性。最后，對(duì)鎂膜進(jìn)行熱處理發(fā)現(xiàn)，熱處理不僅可以降低Mg膜的方塊電阻以及其表面粗糙度，并且明顯提高了Mg膜的附著力。 本文進(jìn)一步研究了陰極材料對(duì)器件性能的影響，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)鎂銀合金作為陰極時(shí)，器件性能良

4、好；采用LiF作為電子注入層后，器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率有明顯提高。其中，LiF和Mg/Ag的厚度存在最佳值，可以使器件性能達(dá)到最優(yōu)效果。 文章還對(duì)空穴注入層對(duì)器件性能的影響以及有機(jī)層Alq3和NPB的穩(wěn)定性進(jìn)行了討論。當(dāng)CuPc作為空穴注入層時(shí)，其厚度在5～15nm之間有一個(gè)最佳值，使得器件啟亮電壓和壽命之間存在最佳平衡，CuPc層厚度的改變不影響器件的發(fā)光顏色；當(dāng)2T-NaTa作為空穴注入層時(shí)，得到的器件性能要優(yōu)于CuPc作