TiZnSnO非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜制備及應(yīng)用研究.pdf

1、電子產(chǎn)品的迅速更新?lián)Q代對(duì)平板顯示提出了大尺寸、高分辨、可彎曲等技術(shù)發(fā)展要求，非晶氧化物薄膜晶體管(TFT)平板顯示技術(shù)在這方面顯示巨大的應(yīng)用潛力。非晶InGaZnO(a-IGZO)作為一個(gè)經(jīng)典體系被廣泛研究并且已被用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，但是In、Ga元素為稀有金屬元素，儲(chǔ)量少、價(jià)格高。ZnSnO(ZTO)作為a-IGZO的替代體系表現(xiàn)出優(yōu)異的電學(xué)性能，但存在漏電流較大、穩(wěn)定性較差等問(wèn)題。本文摻入Ti作為穩(wěn)定劑制備TiZnSnO(TZTO)薄膜

2、，研究Ti含量對(duì)薄膜性質(zhì)及器件性能的影響規(guī)律，主要包括如下內(nèi)容:
　　1.采用射頻磁控濺射方法室溫條件下制備不同Ti含量的TZTO非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜，結(jié)果顯示Ti含量的不斷增大對(duì)薄膜的非晶結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能影響不大，而薄膜中氧空位濃度先降低后升高，表明Ti可以起到載流子抑制劑的作用，但同時(shí)要考慮薄膜質(zhì)量對(duì)載流子濃度的影響。
　　2.將TZTO薄膜作為有源層制備TFT器件，結(jié)果顯示Ti含量的變化會(huì)對(duì)器件電學(xué)性能產(chǎn)生規(guī)律性影響。T