壓電晶體器件襯底超精密清洗的研究.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，壓電晶體器件特征尺寸不斷減小，對(duì)元器件襯底材料表面潔凈度的要求越來(lái)越高。為了確保元器件產(chǎn)品的成品率，超精密清洗是十分必要的工序。傳統(tǒng)的清洗方法采用的是有機(jī)溶劑單槽浸泡的清洗工藝，該工藝消耗大量的化學(xué)試劑，清洗效率低，成本高，對(duì)人和環(huán)境不友好。本論文根據(jù)水基清洗原理，通過研究壓電石英晶片襯底材料表面污染物組成，研發(fā)了一種由表面活性劑為主，具有高效、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)的水基清洗劑。
　　本文通過對(duì)多種表面活性劑

2、除油效率和表面張力的研究，探索了陰離子表面活性劑和非離子表面活性劑之間的復(fù)配增效作用，得到五組清洗效率較高的復(fù)配組合。通過研究單一組分表面活性劑的泡沫性能，在不加入消泡劑的前提下，采用復(fù)配抑泡技術(shù)得到起泡低、消泡快的復(fù)配組合。
　　研究了復(fù)配陰離子表面活性劑A和復(fù)配非離子表面活性劑B的除油效率、表面張力和泡沫性能，確定了清洗劑AFT-101的配方組成。并通過考查清洗溫度、時(shí)間和濃度對(duì)清洗劑去污效率和除油效率的影響，確定了最佳去污清

3、洗工藝和除油工藝為溫度60℃，濃度5％，時(shí)間5min。
　　采用多槽超聲波清洗工藝，研究了清洗溫度、時(shí)間和濃度對(duì)石英晶砣脫片效率和清洗后晶片表面平均接觸角的影響。確定了清洗劑實(shí)驗(yàn)室最佳脫片工藝為溫度60℃，濃度5％，時(shí)間10min;最佳清洗工藝為溫度60℃，濃度5％，時(shí)間5min。采用AU清洗技術(shù)，研究了清洗后晶片表面形貌和接觸角，并通過FTIR顯微紅外和SEM-EDS能譜對(duì)晶片表面進(jìn)行微量測(cè)試分析，結(jié)果表明石英晶片采用AU清洗技