ESD保護(hù)柵結(jié)構(gòu)的Trench MOSFET設(shè)計(jì)制造.pdf

1、功率MOSFET是將微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)融合起來(lái)的新一代功率半導(dǎo)體器件。因其具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、輸出電流大和熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)，在電源保護(hù)、電源開(kāi)關(guān)、DC/DC變換器和同步整流等電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。
　　 本文給出了一種帶有ESD保護(hù)柵結(jié)構(gòu)的Trench MOSFET的設(shè)計(jì)流程。和普通MOSFET相比，其創(chuàng)新之處在于植入了ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，使其抗ESD能力相比普通MOSFET顯著提高。本文的目的是在達(dá)到

2、設(shè)計(jì)目標(biāo)的同時(shí)盡量減少光刻版的層數(shù)，降低單位面積的導(dǎo)通電阻，從而有效控制成本。第一部分是研究背景，包括功率MOSFET和ESD保護(hù)型功率MOSFET的發(fā)展、應(yīng)用以及市場(chǎng)前景等。第二部分是理論基礎(chǔ)，介紹了Trench MOSFET和ESD的理論知識(shí)，提出了在柵極區(qū)制造ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)方法，此方法可以有效控制芯片面積。第三部分是工程實(shí)踐，首先通過(guò)經(jīng)典理論公式推導(dǎo)出外延片規(guī)格；終端結(jié)構(gòu)使用場(chǎng)板、多晶硅場(chǎng)限環(huán)和截止環(huán)的復(fù)合結(jié)構(gòu)；ESD保護(hù)二極管先