一種低導(dǎo)通電阻60V Trench MOSFET的設(shè)計(jì)與制造.pdf

1、Trench MOSFET是基于平面型 MOSFET發(fā)展起來的半導(dǎo)體功率器件，和平面型的MOSFET相比，Trench MOSFET擁有更低的導(dǎo)通電阻、更大的導(dǎo)通電流以及更快的開關(guān)速度，在電動(dòng)車無刷電機(jī)應(yīng)用市場中占有一席之地。并且因?yàn)門rench MOSFET的溝道是垂直方向的，所以能進(jìn)一步的提高它的溝道密度，減小芯片尺寸。
　　對于Trench MOSFET來講，有兩個(gè)關(guān)鍵的參數(shù)：擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。擊穿電壓體現(xiàn)了器件的阻斷能力

2、，而導(dǎo)通電阻則體現(xiàn)了器件的導(dǎo)通能力。器件導(dǎo)通電阻與芯片的面積是反比的關(guān)系，導(dǎo)通電阻的優(yōu)化，可以帶來通態(tài)功耗的降低，能源的節(jié)約，但在優(yōu)化的時(shí)候，往往伴隨著擊穿電壓的降低。本文的目的是介紹一種低導(dǎo)通電阻60V Trench MOSFET的設(shè)計(jì)與制造，設(shè)計(jì)目標(biāo)是擊穿電壓保持的情況下，導(dǎo)通電阻相比同類產(chǎn)品能夠降低10％，從而提高產(chǎn)品的競爭力。
　　本文主要分為三大部分，第一部分是理論知識與背景研究，第二部分則是器件的設(shè)計(jì)，最后一部分介紹了