納米雙柵MOSFET的建模與仿真.pdf

1、集成電路自發(fā)明以來，其尺寸一直遵循摩爾定律等比例減小。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，晶體管尺寸減小到納米級別，也遇到了許多新的問題。雙柵MOSFET由于能夠有效改進器件在短溝道情況下的亞閾值特性，提高晶體管的性能，因此是延續(xù)摩爾定律的一種有效的器件結(jié)構(gòu)。
　　本文對幾種不同的雙柵結(jié)構(gòu)提出了解析模型，并且結(jié)合軟件的仿真結(jié)果，對這幾種結(jié)構(gòu)的MOSFET的電學特性進行了研究。
　　首先本文通過用級數(shù)法求解泊松方程，對最簡單的一種雙柵結(jié)構(gòu)提

2、出了一個電勢以及亞閾值擺幅的模型。并以此模型計算了雙柵金屬氧化物在不同尺寸、不同柵極偏壓下的電勢分布。同時，也研究了器件的溝道長度、溝道厚度、柵極氧化層厚度、柵極偏壓以及摻雜濃度等參數(shù)對器件亞閾值特性的影響。
　　隨后研究了用兩種不同功函數(shù)形成柵極的雙柵MOSFET。仍然用級數(shù)法求解泊松方程，但采用不同的邊界條件得到對應的電勢、亞閾值擺幅的解析模型。將此模型與軟件仿真結(jié)果進行了比較，同時也對器件的電勢分布、亞閾值特性有了一個初步的