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文檔簡介
1、目的:
比較不同的表面處理方式對氧化鋯基底-飾面瓷雙層瓷之間的結(jié)合性能的影響。通過剪切試驗(yàn)測試其強(qiáng)度,掃描電鏡及能譜分析結(jié)合界面的微觀結(jié)構(gòu),為提高氧化鋯全瓷修復(fù)體的成功率提供理論依據(jù)。
方法:
將氧化鋯瓷塊(Sirona)胚體切割并通過燒結(jié)制成10mm×5mm×5mm大小試件44個,將試件隨機(jī)分為四組,每組11個。處理方式如下:實(shí)驗(yàn)組1基底瓷結(jié)晶后做噴砂處理,然后燒結(jié)飾面瓷;實(shí)驗(yàn)組2基底瓷結(jié)晶后,先做納米氧
2、化鋯涂層燒結(jié),然后燒結(jié)飾面瓷;實(shí)驗(yàn)組3基底瓷結(jié)晶后,先做噴砂處理,然后做納米氧化鋯涂層燒結(jié),最后燒結(jié)飾面瓷;對照組基底瓷結(jié)晶后常規(guī)拋光,然后燒結(jié)飾面瓷。以上各組基底瓷材料全部采用粉漿涂塑法燒結(jié)5mm×5mm×5mm厚的飾面瓷。每組10個試件通過電子拉伸機(jī)測試結(jié)合界面的剪切強(qiáng)度,每組隨機(jī)抽取1個基底瓷及雙層瓷試件,采用掃描電子顯微鏡、能譜分析方法,觀察結(jié)合界面的微觀結(jié)構(gòu),研究氧化鋯基底瓷與飾面瓷之間的結(jié)合情況。
結(jié)果:
3、 1.剪切強(qiáng)度測試結(jié)果
實(shí)驗(yàn)組1所測得的剪切強(qiáng)度為17.96±0.31MPa,實(shí)驗(yàn)組2所測得的剪切強(qiáng)度為20.14±0.68 MPa,實(shí)驗(yàn)組3所測得的剪切強(qiáng)度為24.65±0.67 MPa,對照組所測得的剪切強(qiáng)度為14.06±0.44MPa。各組結(jié)果之間的差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P<0.01)。
2.掃描電鏡觀察結(jié)果
實(shí)驗(yàn)組1的氧化鋯試件表面呈現(xiàn)均勻一致的粗糙面,可見不規(guī)則的凹陷凸起;雙層瓷的結(jié)合界面有明顯的嵌合
4、。
實(shí)驗(yàn)組2的氧化鋯試件表面呈現(xiàn)清晰的淺凹和嵴,形態(tài)較規(guī)則,溶膠無開裂,無縫隙;雙層瓷的結(jié)合比較緊密,可見相互嵌合。
實(shí)驗(yàn)組3的氧化鋯試件表面呈現(xiàn)均勻一致的粗糙面,可見不規(guī)則的凹陷凸起,溶膠無開裂,無縫隙;雙層瓷的結(jié)合界面有明顯的嵌合。
對照組的氧化鋯試件表面形成清晰的淺凹和嵴,形態(tài)較規(guī)則;雙層瓷的結(jié)合界面比較平直,結(jié)合較為緊密。
3.能譜分析結(jié)果
各組中Zr元素在瓷-瓷結(jié)合界面處濃度下
5、降特別明顯,其中在實(shí)驗(yàn)組2和實(shí)驗(yàn)組3的飾面瓷側(cè)的Zr元素含量又有升高;在實(shí)驗(yàn)組1的飾面瓷側(cè)檢測到微量Zr元素;在對照組的飾面瓷側(cè)未檢測到Zr元素。
各組中Si元素在瓷-瓷結(jié)合界面處濃度下降較快,氧化鋯基底瓷側(cè)可檢測到Si元素。
各組中Al元素在瓷-瓷結(jié)合界面處濃度下降較為緩慢。
結(jié)論:
1.與對照組相比,單獨(dú)噴砂處理或納米氧化鋯涂層處理,均能提高氧化鋯基底瓷與飾面瓷的結(jié)合強(qiáng)度。
2.與對
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