基于NVDIMM的非易失性內(nèi)存系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn).pdf

1、眾所周知，普通內(nèi)存在系統(tǒng)斷電后，數(shù)據(jù)將會消失，還沒有來得及保存到硬盤的數(shù)據(jù)文檔將會隨之丟失，之前的勞動成果便不復(fù)存在，因此有必要設(shè)計另一種內(nèi)存來解決數(shù)據(jù)丟失的問題。
　　為了解決數(shù)據(jù)丟失的問題，主要是能夠在系統(tǒng)斷電后依然可以提供電力，系統(tǒng)可以繼續(xù)工作，但是普通備用電源的供電時間畢竟有限，無法達(dá)到永久保存的目的。因此需要設(shè)計一種非易失性的內(nèi)存系統(tǒng)，它能在系統(tǒng)異常斷電后將存放在SDRAM里的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到一種非易失性芯片上，同樣在系統(tǒng)恢復(fù)

2、電力后還原SDRAM斷電的數(shù)據(jù)。這樣的系統(tǒng)只需要短時間的供電就能達(dá)到永久保存的目的。
　　本文介紹了非易失性內(nèi)存系統(tǒng)開發(fā)的背景知識包括動態(tài)隨機存儲器的分類和讀寫操作，閃存芯片的國際標(biāo)準(zhǔn)和讀寫操作，以及超級電容充放電等特點。通過對基礎(chǔ)知識的分析和研究，最終設(shè)計出超級非易失性內(nèi)存系統(tǒng)。該系統(tǒng)主要是由動態(tài)隨機存儲器，閃存芯片，超級電容包和微處理器四部分組成。在系統(tǒng)正常運行時，非易失性內(nèi)存表現(xiàn)為普通SDRAM.它不但繼承了普通SDRAM速

3、度快，隨機讀寫等特點，并在此基礎(chǔ)上還增加了新的功能。它能夠在系統(tǒng)異常斷電后，可以通過超級電容供電就能夠迅速將內(nèi)存數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到閃存中。當(dāng)系統(tǒng)恢復(fù)電力后，超級內(nèi)存又能完整無缺將存放在閃存里的數(shù)據(jù)恢復(fù)到隨機存儲器里，系統(tǒng)瞬間恢復(fù)至斷電前的工作狀態(tài)繼續(xù)工作，從而達(dá)到了斷電保護(hù)隨機存儲器數(shù)據(jù)目的。
　　本文將重點介紹如何設(shè)計超級電容包模塊，系統(tǒng)升級模塊，以及數(shù)據(jù)備份和恢復(fù)模塊。最后通過測試和記錄大量數(shù)據(jù)驗證了所設(shè)計模塊的正確性，確定所設(shè)計內(nèi)存