基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的非易失存儲(chǔ)器IP核的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、射頻識(shí)別技術(shù)（Radio Frequency Identification，RFID）是運(yùn)用射頻信號(hào)和空間耦合的傳輸特征，自動(dòng)辨別被識(shí)別的物體，具有讀寫距離遠(yuǎn)、速度快、非視距讀取、抗干擾能力強(qiáng)等特點(diǎn)，在軍事和國(guó)民生活中得到了廣泛應(yīng)用，是物聯(lián)網(wǎng)的核心與基礎(chǔ)技術(shù)。
　　電子標(biāo)簽芯片作為射頻識(shí)別系統(tǒng)的核心設(shè)備，非易失存儲(chǔ)器(Nonvolatile Memory，NVM）IP核是其重要組成部分。由于電子標(biāo)簽的無源工作模式以及大規(guī)模應(yīng)用的需

2、求，非易失存儲(chǔ)器要求具有超低功耗（微瓦級(jí)）、低成本的特點(diǎn)。國(guó)內(nèi)的電子標(biāo)簽芯片廠商大都采用國(guó)外/境外公司提供的基于國(guó)外/境外工藝線上的非易失存儲(chǔ)器IP核進(jìn)行超高頻電子標(biāo)簽芯片的設(shè)計(jì)，這些IP核價(jià)格昂貴，而且在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中存在很大的不可控性，受制于人。而國(guó)外的電子標(biāo)簽芯片主流廠商都有自己開發(fā)的非易失性存儲(chǔ)器IP核，在成本與功耗上都有著很大的優(yōu)勢(shì)。
　　本文首先論述了基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝非易失存儲(chǔ)器的研究背景和研究意義，介紹了國(guó)際上在基

3、于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝非易失存儲(chǔ)器方面的民用研究進(jìn)展，討論了國(guó)內(nèi)民用研究近狀與面臨的挑戰(zhàn)。
　　然后，分析了其讀寫功耗、工作溫度、可擦寫次數(shù)等參數(shù)上的要求，設(shè)計(jì)了存儲(chǔ)器指標(biāo)。對(duì)基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝非易失存儲(chǔ)器體系架構(gòu)進(jìn)行了研究和設(shè)計(jì)：針對(duì)電子標(biāo)簽芯片的應(yīng)用，列出了其架構(gòu)組成與功能管腳定義。
　　本文主要設(shè)計(jì)了存儲(chǔ)器外圍電路，其中主要設(shè)計(jì)了電壓切換模塊、控制電路，靈敏放大器，電荷泵等其他電路進(jìn)行分析與部分設(shè)計(jì)。仿真結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的