Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂失效研究.pdf

1、輕薄短小成為半導(dǎo)體發(fā)展的趨勢，而硅晶圓的切割劃片技術(shù)是集成電路封裝小型化的關(guān)鍵基礎(chǔ)工藝技術(shù)。
　　隨著薄型化及Low-k(低介電常數(shù))介質(zhì)硅晶圓的出現(xiàn)，由于材料其本身的特性，傳統(tǒng)機械切割（刀片切割）方式加工過程中經(jīng)常出現(xiàn)芯片崩裂，會造成可靠性失效的嚴(yán)重后果，所以通常需要通過工藝參數(shù)的優(yōu)化以及引入激光切割工藝來改善Low-k介質(zhì)硅晶圓切割中產(chǎn)生的崩裂現(xiàn)象。
　　本文在切割工藝分析、失效機制研究的基礎(chǔ)上，重點研究改善Low-k介

2、質(zhì)硅晶圓因切割崩裂而導(dǎo)致的可靠性失效問題。
　　本論文包含以下幾個研究內(nèi)容:
　　(1)硅晶圓切割工藝原理的研究
　　從研究機械切割的工藝原理入手，結(jié)合研究Low-k介質(zhì)硅晶圓材料的特點指出機械切割針對Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝限制，從而引入激光切割，進(jìn)一步對其工藝原理以及工藝參數(shù)進(jìn)行研究。
　　(2)切割崩裂失效現(xiàn)象及改善的研究
　　切割中的常見同時也是最嚴(yán)重的異常就是切割崩裂，從失效現(xiàn)象及失效機理的

3、研究找出影響崩裂的主要因素并進(jìn)行改善。
　　(3)Low-k介質(zhì)硅晶圓切割的工藝優(yōu)化
　　為了解決Low-k介質(zhì)硅晶圓切割產(chǎn)生的崩裂，同時控制其他相應(yīng)問題的產(chǎn)生，通過分別對主要參數(shù)的優(yōu)化驗證，找到最佳工藝生產(chǎn)條件。
　　本文在切割工藝分析、失效機制研究的基礎(chǔ)上，找出了影響Low-k介質(zhì)硅晶圓切割崩裂的主要原因。在此基礎(chǔ)上有針對性的進(jìn)行優(yōu)化實驗，確定了合適的工藝條件和范圍，解決了Low-k介質(zhì)硅晶圓的崩裂問題，達(dá)到了達(dá)到