Low-k介質硅晶圓切割崩裂失效研究.pdf

1、輕薄短小成為半導體發(fā)展的趨勢，而硅晶圓的切割劃片技術是集成電路封裝小型化的關鍵基礎工藝技術。
　　隨著薄型化及Low-k(低介電常數(shù))介質硅晶圓的出現(xiàn)，由于材料其本身的特性，傳統(tǒng)機械切割（刀片切割）方式加工過程中經(jīng)常出現(xiàn)芯片崩裂，會造成可靠性失效的嚴重后果，所以通常需要通過工藝參數(shù)的優(yōu)化以及引入激光切割工藝來改善Low-k介質硅晶圓切割中產(chǎn)生的崩裂現(xiàn)象。
　　本文在切割工藝分析、失效機制研究的基礎上，重點研究改善Low-k介

2、質硅晶圓因切割崩裂而導致的可靠性失效問題。
　　本論文包含以下幾個研究內容:
　　(1)硅晶圓切割工藝原理的研究
　　從研究機械切割的工藝原理入手，結合研究Low-k介質硅晶圓材料的特點指出機械切割針對Low-k介質硅晶圓切割的工藝限制，從而引入激光切割，進一步對其工藝原理以及工藝參數(shù)進行研究。
　　(2)切割崩裂失效現(xiàn)象及改善的研究
　　切割中的常見同時也是最嚴重的異常就是切割崩裂，從失效現(xiàn)象及失效機理的

3、研究找出影響崩裂的主要因素并進行改善。
　　(3)Low-k介質硅晶圓切割的工藝優(yōu)化
　　為了解決Low-k介質硅晶圓切割產(chǎn)生的崩裂，同時控制其他相應問題的產(chǎn)生，通過分別對主要參數(shù)的優(yōu)化驗證，找到最佳工藝生產(chǎn)條件。
　　本文在切割工藝分析、失效機制研究的基礎上，找出了影響Low-k介質硅晶圓切割崩裂的主要原因。在此基礎上有針對性的進行優(yōu)化實驗，確定了合適的工藝條件和范圍，解決了Low-k介質硅晶圓的崩裂問題，達到了達到