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1、在過去的幾十年間,集成電路的集成度依循摩爾定律呈指數(shù)規(guī)律升高,特征尺寸不斷減小?,F(xiàn)階段,互連線的RC延遲已經(jīng)遠(yuǎn)超過門延遲,成為影響電路性能和速度的關(guān)鍵。為降低RC延遲,低介電常數(shù)(low-k)介質(zhì)的研究已成為微電子領(lǐng)域的重要課題,而低介電常數(shù)往往伴隨著較低的機(jī)械強(qiáng)度,極大影響了low-k材料作為互連線間介質(zhì)的應(yīng)用。
本課題采用激光激發(fā)表面波(Laser-generated Surface Acoustic Waves,LS
2、AWs)方法檢測(cè)low-k材料的楊氏模量值,與傳統(tǒng)的納米壓痕法相比較,這一檢測(cè)技術(shù)具有準(zhǔn)確、快速、無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn),適合于對(duì)超薄、低硬度、非致密薄膜材料進(jìn)行在線檢測(cè)。
LSAWs方法檢測(cè)楊氏模量時(shí),采用激光照射low-k薄膜-襯底結(jié)構(gòu)樣片激發(fā)表面波信號(hào)并對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)和采集,依據(jù)表面波在分層介質(zhì)上傳播時(shí)發(fā)生頻散的特性,計(jì)算出它的頻散特性曲線。同時(shí)根據(jù)已建立的薄膜-襯底理論模型,計(jì)算對(duì)應(yīng)不同楊氏模量值時(shí)的理論頻散曲線,并通過匹配得
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