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文檔簡介
1、近年來,紫外 LED技術的快速發(fā)展使得紫外 LED應用于半導體照明以及其他許多領域。目前商用紫外LED在390nm以上波段較為成熟,但傳統(tǒng)的365nm紫外光源在工業(yè)固化等領域有重要的用途,因此研究并獲得成熟的365nm波段紫外LED制造工藝對紫外LED的進一步應用具有重要的意義。
除應用于紫外光固化領域,紫外LED還可替代紫外汞燈應用在身份驗證,條碼識別,水的殺菌,體液檢測和分析,蛋白質(zhì)分析和藥物發(fā)明,醫(yī)學光照療法,辨?zhèn)?表面
2、除菌、美容除菌等領域,有著非常廣泛的市場需求。
本文介紹了制備 GaN基365nm波段紫外 LED的幾個關鍵技術,實現(xiàn)了370nm以下紫外發(fā)射的UV-LED結(jié)構。為解決短波長UV-LED器件工作電壓高的問題,本文還給出了一種利用重摻雜 p型層和超晶格插入層的方法,可有效降低紫外LED工作電壓。
本文針對紫外 LED的多量子阱有源層進行了研究,通過控制 InGaN/GaN多量子阱的In組份,實現(xiàn)了368nm波長發(fā)射的U
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