365nm紫外器件關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、近年來,紫外 LED技術(shù)的快速發(fā)展使得紫外 LED應(yīng)用于半導(dǎo)體照明以及其他許多領(lǐng)域。目前商用紫外LED在390nm以上波段較為成熟,但傳統(tǒng)的365nm紫外光源在工業(yè)固化等領(lǐng)域有重要的用途,因此研究并獲得成熟的365nm波段紫外LED制造工藝對(duì)紫外LED的進(jìn)一步應(yīng)用具有重要的意義。
　　除應(yīng)用于紫外光固化領(lǐng)域,紫外LED還可替代紫外汞燈應(yīng)用在身份驗(yàn)證,條碼識(shí)別,水的殺菌,體液檢測(cè)和分析,蛋白質(zhì)分析和藥物發(fā)明,醫(yī)學(xué)光照療法,辨?zhèn)?表面

2、除菌、美容除菌等領(lǐng)域,有著非常廣泛的市場(chǎng)需求。
　　本文介紹了制備 GaN基365nm波段紫外 LED的幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)了370nm以下紫外發(fā)射的UV-LED結(jié)構(gòu)。為解決短波長UV-LED器件工作電壓高的問題,本文還給出了一種利用重?fù)诫s p型層和超晶格插入層的方法,可有效降低紫外LED工作電壓。
　　本文針對(duì)紫外 LED的多量子阱有源層進(jìn)行了研究,通過控制 InGaN/GaN多量子阱的In組份,實(shí)現(xiàn)了368nm波長發(fā)射的U