高能微波輻照法制備SiC納米線及其光致發(fā)光性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、碳化硅(SiC)陶瓷材料因具有高強(qiáng)度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕以及耐摩擦等一系列優(yōu)異的性能,被廣泛應(yīng)用于航天航空、機(jī)械電子、石油化工等眾多領(lǐng)域中。當(dāng)其尺寸進(jìn)入納米尺度后,SiC納米陶瓷除了具備SiC體材料的優(yōu)異性能外,還具備了特異的光、電、磁等特性,使其在微電子、納米器件等光電材料領(lǐng)域有了廣闊的應(yīng)用前景。目前,多種方法都可以制得SiC納米陶瓷材料,但多存在合成效率低、工藝復(fù)雜、產(chǎn)物純度差和產(chǎn)率低等問題。而高能微波輻照法因其加熱速度快、選擇

2、性高、加熱均勻、熱慣性小以及節(jié)能環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),是一種制備SiC納米陶瓷材料很有前途的方法。
  本文利用高能微波輻照技術(shù),在無模板、無基底、無催化劑的條件下,對(duì)SiC納米材料的均勻、可控合成進(jìn)行了探索。結(jié)合多種分析測(cè)試技術(shù),本文對(duì)得到的SiC產(chǎn)物的微觀結(jié)構(gòu)以及光致發(fā)光特性進(jìn)行測(cè)試與表征,并對(duì)其光致發(fā)光機(jī)制進(jìn)行相應(yīng)解析和評(píng)價(jià)。同時(shí),利用電子背散射衍射技術(shù),本文也對(duì)高能微波輻照條件下制得的SiC產(chǎn)物的生長(zhǎng)機(jī)制進(jìn)行了初步探究。除此之外,對(duì)

3、于高能微波技術(shù)在功能材料制備領(lǐng)域的應(yīng)用,本文進(jìn)行了初步的探索。主要的研究?jī)?nèi)容及結(jié)果如下:
  (1) SiC的微波合成制備:
  利用高能微波輻照技術(shù),僅以Si粉、SiO2粉和人造石墨等為原料,在無模板、無基底、無催化劑的條件下,可以快速大量的得到β-SiC納米線。并且根據(jù)坩堝中的部位不同,所得SiC呈現(xiàn)出不同的形態(tài)。坩堝上層為亮綠色粉末,較為純凈,主要為直徑約150nm的納米棒,并含有部分微米級(jí)SiC晶粒,表面氧化跡象不明

4、顯。其余部分產(chǎn)物呈灰綠色,主要是直徑約20-50nm的SiC納米線,表面包覆2-10 nm非晶態(tài)SiO2層。反應(yīng)過程簡(jiǎn)單易操作、可控性強(qiáng),并且產(chǎn)物純凈,無需再進(jìn)行復(fù)雜的純化過程。通過改變合成工藝參數(shù),可發(fā)現(xiàn)原料中碳源、硅源種類,加熱溫度,保溫時(shí)間等都是影響SiC產(chǎn)物的形態(tài)結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)機(jī)制的重要因素。
  (2)微波輻照條件下的SiC的生長(zhǎng)機(jī)制:
  利用多種表征手段,在對(duì)β-SiC納米線、微米晶等進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)表征、解析的基礎(chǔ)上

5、,對(duì)微波輻照條件下的SiC的生長(zhǎng)機(jī)制進(jìn)行了探討。結(jié)果表明,合成的納米線沿<111>方向生長(zhǎng),與得到的SiC微米級(jí)晶粒類似?;诖罅康膶?shí)驗(yàn)證據(jù),確認(rèn)了微波輻照條件下SiC的生長(zhǎng)符合“基于光滑界面的二維形核-層狀生長(zhǎng)機(jī)制”。此外,利用EBSD技術(shù)對(duì)β-SiC的晶面演變進(jìn)行了原位的鑒別和分析,發(fā)現(xiàn)SiC的{211}面在生長(zhǎng)過程中逐漸被超覆,并通過{421}過渡晶面而逐漸演變?yōu)閧220}晶面。EBSD的原位表征為上述生長(zhǎng)機(jī)制提供了直接的實(shí)驗(yàn)證據(jù)

6、。
  (3)光致發(fā)光功能特性的研究:
  對(duì)SiC納米線進(jìn)行光致發(fā)光(PL)性能的研究發(fā)現(xiàn),在室溫下用240 nm的氙光光源可以激發(fā)出390 nm(3.18 eV)左右的近紫外發(fā)射,與體材料及多數(shù)文獻(xiàn)報(bào)道的SiC納米產(chǎn)物在410-470nm范圍的藍(lán)光發(fā)射峰相比,本課題所得到SiC納米產(chǎn)物的譜峰發(fā)生了更明顯的藍(lán)移。初步分析譜峰藍(lán)移的原因可能是高能微波作用下,產(chǎn)物中形成了大量的氧空位、堆垛層錯(cuò)等結(jié)構(gòu)缺陷所致。而在近紫外區(qū)域的發(fā)

7、光,為根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的要求而進(jìn)行SiC納米線的結(jié)構(gòu)、性能調(diào)控提供了更廣闊的空間,有利于拓展一維納米結(jié)構(gòu)SiC的應(yīng)用領(lǐng)域。
  (4)相關(guān)研究?jī)?nèi)容的初步探索:
  本文利用高能微波輻照技術(shù),對(duì)于其它形態(tài)SiC一維納米材料和C/SiC復(fù)合纖維的制備也進(jìn)行了初步的探索。研究發(fā)現(xiàn),高能微波輻照條件下,多種形態(tài)的SiC納米線、具有不同核/殼厚度比的SiC/SiO2同軸納米線、含有豐富結(jié)構(gòu)缺陷的SiC納米線,以及結(jié)晶性良好的SiC微晶均可

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