HFCVD方法制備納米SiC及其性質(zhì)的研究.pdf

1、SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等獨(dú)特的特性，使其在光電器件、高頻、大功率、高溫電子器件等方面倍受青睞，被譽(yù)為發(fā)展前景十分廣闊的第三代半導(dǎo)體材料。 由于體SiC是間接帶隙的能帶結(jié)構(gòu)，使得它在低溫條件下只有較弱的藍(lán)光發(fā)射，不能像GaN，GaAs那樣有效發(fā)光。實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的SiC可能是提高SiC的發(fā)光效率的可能途徑，本論文采用了熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)方

2、法成功制備了納米SiC薄膜，并對薄膜的制備和表征進(jìn)行了研究，取得的主要結(jié)果如下： 1.為了減少SiC與Si襯底之間較大的晶格失配和熱膨脹失配，采用分步碳化的方法制備了納米SiC薄膜，并且用這種方法提高了成核密度，減少了晶粒尺寸，此外對薄膜的光學(xué)特性進(jìn)行了詳細(xì)的分析和研究； 2.通過改變H2稀釋度，對樣品的結(jié)構(gòu)和組分進(jìn)行了分析研究。得出了H2稀釋度是影響HFCVD法沉積SiC薄膜結(jié)晶質(zhì)量的重要參數(shù)； 3.分析了不同