用離子注入法制備的納米硅的光致發(fā)光特性研究.pdf

1、山東大學(xué)碩士學(xué)位論文用離子注入法制備的納米硅的光致發(fā)光特性研究姓名：張健申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張德駿20030504山東大學(xué)顧士學(xué)位論文摘要用離子注入法制備的納米硅的光致發(fā)光特性研究摘要本文較系統(tǒng)地介紹了納米硅體系的可見和近紅外發(fā)光，研究了用離子注入法制備的納米硅的光致發(fā)光特性，同時介紹了取得的一些研究結(jié)果。采用石英晶體薄片和非晶高純石英薄片作為襯底，用高能離子注入機(jī)以不同注入劑量和不同注入能量分別把Si

2、一注入到襯底中，經(jīng)過高溫退火進(jìn)行重新結(jié)晶后形成納米硅樣品，部分樣品又經(jīng)過氫氣鈍化處理。納米硅樣品的測量結(jié)果表明：在激光照射下，納米硅樣品具有明顯的光致發(fā)光現(xiàn)象，而且隨著激發(fā)光強(qiáng)度的增加，PL譜在短波方向的強(qiáng)度增強(qiáng)明顯超過長波方向，但波峰的位置與激發(fā)光的強(qiáng)度沒有什么關(guān)系；同時，PL譜在短波方向表現(xiàn)出的飽和趨勢要明顯低于長波方向的飽和趨勢：在325nm激光照射下，納米硅樣品的PL譜有明顯的肩狀外形；經(jīng)過氫氣鈍化處理的樣品的PL譜的強(qiáng)度得到明