有機半導體薄膜在強磁場下的生長及分子取向研究.pdf

1、有機半導體器件具有許多傳統無機半導體器件不具備的優(yōu)勢，近年來得到廣泛的關注和飛速的發(fā)展，被應用于有機光伏太陽能電池、有機場效應晶體管、有機自旋閥等領域。如何提高有機半導體器件的性能是研究者關心的核心問題。通常半導體有機分子都具有特定的空間幾何結構，其堆積方式的不同往往形成截然不同的表面形貌，進而在很大程度上影響有機光電器件的性能。因此掌握調控有機分子取向和堆積的方法對于優(yōu)化器件性能有重要的理論指導意義。調控有機分子取向的有效方法之一是在

2、分子生長過程中引入磁場的作用，但到目前為止這方面的研究方法還很不完善，亟待進一步的研究探索。
　　本文中，我們使用有機分子束沉積方法，在8.5 T垂直襯底的強磁場環(huán)境下在Si和Cu襯底上制備了酞菁鐵(FePc)薄膜，并應用X射線衍射(XRD)、角分辨近邊X射線吸收精細結構(NEXAFS)、偏振激光拉曼光譜、原子力顯微鏡(AFM)等技術研究了磁場對FePc薄膜的分子取向和形貌的影響。主要的結論如下:
　　第一，XRD的結果表明

3、在無外磁場和外加8.5T磁場的條件下在Si(111)襯底上制備的FePc薄膜均顯示為以(200)面取向的有序α相FePc，磁場下生長的薄膜擁有更高的結晶度和結晶質量，分子間的堆積間距在磁場的作用下減小，分子排列更加緊密。從AFM圖像觀察到，磁場下沉積的薄膜中晶粒更加均勻有序地分布在襯底上，表面更加平整。同步輻射NEXAFS譜和拉曼光譜結果表明，FePc分子側立在襯底表面，在磁場作用下，分子平面相對襯底有更大的傾斜角。半定量偏振拉曼光譜計

4、算結果顯示，外加磁場后，分子平面與襯底的夾角由63.6°增大為67.1°。
　　第二，我們在Cu/Si襯底上制備了FePc薄膜，XRD及AFM的結果表明，分子相對于襯底呈側立構型并形成α相的薄膜，磁場中沉積薄膜的結晶度明顯提高，晶粒更加均勻，在襯底上的分布更加有序，沉積后繼續(xù)磁化可以進一步減小粗糙度。角分辨NEXAFS譜和拉曼光譜結果表明，在磁場作用下，分子平面相對襯底有更小的傾斜角，沉積后的磁化作用使傾斜角繼續(xù)減小。半定量偏振拉