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文檔簡介
1、隨著現(xiàn)代電子信息技術的發(fā)展,以半導體器件為基礎的電子電路已不再滿足于使用傳統(tǒng)無機材料進行制備,大量新型有機半導體材料的出現(xiàn)使得半導體器件的發(fā)展進入了一個新的時代。由于大部分有機半導體材料本身具備柔性、高透光性,這使得由其所制備的器件可同樣具備相類似的性質,比如制備出柔性電路或是具有更高透光度的感光器件,且由于多數(shù)有機半導體材料易于溶解,故可使用較為簡便的液相方式進行制備,這極大的豐富了有機電路的應用前景。
本文通過選擇不同的有
2、機半導體材料,以基本的場效應晶體管模型為基礎,嘗試制備了幾種半導體器件并對其進行了性能優(yōu)化,通過一系列實驗及研究對有機半導體薄膜和單晶器件的基本應用進行了討論。主要內容為:
1.通過對有機薄膜場效應晶體管的絕緣層/半導體層進行不同的修飾,研究并總結出一套可同時用于無機或有機絕緣層界面的單分子層修飾方法。此方法使用了OTS(Octadecyltrichlorosilane)和OTMS(Octadecyltrimethoxysil
3、ane)單分子層對絕緣層/半導體層界面接觸進行了修飾,使得器件的傳輸性能得到提高,并能夠被用于較常見的絕緣層上,從而為基于該種器件的電子電路性能提升提供參考方案。
2.通過對有機半導體單晶BPEA(9,10-bis(phenylethynyl)anthracene)的生長進行研究,得到一種能夠控制其原位生長的液相生長方式,并利用該方式與光刻技術相結合,制備了單晶有機單晶場效應晶體管及其他器件。通過這種方式能夠在一定程度上實現(xiàn)對
4、有機半導體單晶的生長方向、位置進行控制,使其不再完全雜亂生長排序,且由于方法為液相生長方式,相對氣相法而言要更為簡單;另外,由于該方式可以與光刻技術進行結合,能夠較為方便的在單根單晶上實現(xiàn)反相器、振蕩器的制備,甚至理論上還可以進行更為微小的器件制備,這對于制備納米級有機單晶器件有一定的參考意義。
3.以基本的無機 FLASH器件結構為基礎,嘗試制備了基于有機薄膜和單晶的FLASH器件。器件表現(xiàn)出一定的存儲性能,并通過嘗試改變浮
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