金屬納米線(Co、Ni、Cu)生長速率研究.pdf

1、基于多孔氧化鋁模板(AAO)生長的金屬納米線形貌規(guī)則，縱橫比大，填充率高，納米線生長晶面可控，這些優(yōu)點使得AAO模板在磁學(xué)、光學(xué)、場發(fā)射和電致發(fā)光器件、傳感器和光催化等領(lǐng)域得到了應(yīng)用。利用二次陽極氧化法制備的AAO模板電沉積金屬納米線已經(jīng)成為實驗室比較成熟的手段，傳統(tǒng)的AAO模板制作工藝存在制備周期長、獲得的模板機械性能差等缺陷。目前，在研究AAO模板中生長納米線過程中，很少研究納米線生長速率問題。本文主要研究，利用AAO模板，通過電化

2、學(xué)工作站恒電位極化法電沉積金屬(Co、Ni、Cu)納米線探究+2價金屬在AAO模板中的生長速率快慢，以及通過量子隧道效應(yīng)討論產(chǎn)生金屬納米線速率不同的原因。主要研究內(nèi)容有:
　　(1)介紹了實驗室制備AAO模板的詳細(xì)過程，提出了傳統(tǒng)制備AAO模板的缺陷。
　　(2)AAO的孔徑對其性能的影響很大。介紹了利用5％的磷酸溶液腐蝕時間和孔徑大小的關(guān)系，給出了影響AAO模板孔徑的因素。
　　(3)利用電化學(xué)工作站恒電位極化法制備

3、了金屬(Co、Ni、Cu)納米線，并對其進行了表征，討論了納米線生長過程中電流大小的變化。對比了三種金屬在相同的電位下電流的差別。
　　(4)討論了納米線生長過程中的電子轉(zhuǎn)移過程，利用金屬原子和金屬表面之間的量子隧道效應(yīng)原理，解釋了金屬納米線生長速率存在差異的原因。
　　總之，本文繼承AAO模板的制備過程，總結(jié)了影響AAO孔徑的具體因素。并利用電化學(xué)工作站電沉積金屬(Co、Ni、Cu)納米線，基于量子隧道效應(yīng)原理，首次用金屬