多孔硅的制備及發(fā)光機(jī)理的研究.pdf

1、本文主要是針對(duì)多孔硅材料發(fā)光效率相對(duì)較低和發(fā)光不穩(wěn)定這兩方面的問(wèn)題,即如何制備出發(fā)光強(qiáng)度高且發(fā)光穩(wěn)定的多孔硅,進(jìn)行深入的研究。本文采用電化學(xué)腐蝕法制備多孔硅,研究制備參數(shù)對(duì)多孔硅發(fā)光特性的影響,選擇合適的制備參數(shù),使多孔硅發(fā)光強(qiáng)度得以優(yōu)化。在本實(shí)驗(yàn)條件下,當(dāng)腐蝕液濃度V(HF):V(C2H5OH)=1:1時(shí),我們得到最佳的腐蝕時(shí)間為20min,最佳的腐蝕電流密度為50mA/cm2。由于剛制備好的多孔硅在自然放置過(guò)程中發(fā)光很不穩(wěn)定,所以我

2、們一般要對(duì)制備好的多孔硅進(jìn)行后處理,來(lái)提高其發(fā)光穩(wěn)定性。本文對(duì)多孔硅進(jìn)行兩種簡(jiǎn)單的后處理,即陰極還原和酸處理。實(shí)驗(yàn)表明:對(duì)多孔硅進(jìn)行一定時(shí)間的陰極還原處理,不僅可以提高多孔硅的發(fā)光強(qiáng)度,而且能改善多孔硅的發(fā)光穩(wěn)定性,其處理后的多孔硅表面均勻性也較好;而對(duì)多孔硅進(jìn)行酸處理,可以實(shí)現(xiàn)多孔硅的高效發(fā)光,但處理后的多孔硅發(fā)光穩(wěn)定性仍不夠理想,且多孔硅表面的均勻性也不夠好。兩種后處理方法相比,綜合多孔硅表面均勻性、發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光穩(wěn)定性這三方面的考