等離子體氣相沉積法制備納米石墨烯及其性能研究.pdf

1、由于其獨特的結構和電子性質，如高遷移率、常溫量子霍爾效應等，石墨烯吸引了許多理論和實驗研究者的關注。相對于硅高數(shù)萬倍的載流子遷移率使其極有可能替代硅成為未來納電子電路的主要材料。石墨烯的制備可以通過多種不同的手段實現(xiàn)，包括機械剝離法、外延生長、化學氣相沉積法和還原氧化石墨法等。其中一些方法，如化學氣相沉積和還原氧化石墨法均可實現(xiàn)大規(guī)模制備，尤其是化學氣相沉積可以制備得到大面積高質量的石墨烯材料。然而，化學氣相沉積的制備條件與當前成熟的微

2、電子工藝流程存在兼容性問題，尋找適合與硅工藝兼容的制備手段就成為石墨烯產業(yè)發(fā)展的一個重要因素。
　　等離子體化學氣相沉積法是微電子工藝常用的手段之一，可用于薄膜制備、刻蝕、摻雜等。本文采用等離子體氣相沉積的方法進行了石墨烯的低溫制備。并對制備參數(shù)對薄膜的影響進行了系統(tǒng)研究，主要內容包括：
　　1.探索電容耦合射頻等離子體化學氣相沉積制備石墨烯薄膜的方法，分別在銅和硅基底上沉積納米石墨烯，探索催化劑及基底的影響。通過掃描電子顯