等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制圖優(yōu)化TiO2薄膜及其光學(xué)性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩65頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、本課題用氧氣為載氣,以四異丙基鈦酸脂(TIPT)為單體,以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-PECVD)法在單晶硅基片上成功制備了具有光導(dǎo)管內(nèi)核材料特性的TiO2薄膜,針對不同的偏置電壓制備的薄膜樣品進(jìn)行測試。橢圓偏振儀檢測薄膜沉積厚度,從而計(jì)算出平均沉積速率、密度,橢圓偏振儀還可以檢測薄膜的光學(xué)特性;通過紅外光譜儀檢測薄膜化學(xué)成分與結(jié)構(gòu);使用掃描電鏡觀察薄膜的

2、表面形貌;使用原子力顯微鏡檢測薄膜的表面粗糙度等。得到如下的主要研究結(jié)果:
   1)TiO2薄膜的沉積速率在未加偏置電壓時至20V區(qū)間內(nèi)先提高后降低,在偏置電壓為10V時達(dá)到最大值3.9nm/min。而在20V到50V區(qū)間,沉積速率基本一致(3.0nm/min)。
   2)薄膜密度在不添加偏置電壓下密度為3.4g/cm3,并隨偏置電壓的提高不斷上升,在20V時達(dá)到最大值4.3g/cm3。薄膜密度在20V到50V偏置電

3、壓區(qū)間有輕微的下降3.9g/cm3。
   3)隨著偏置電壓的升高,薄膜的折射系數(shù)n不斷升高,但偏置電壓對消光系數(shù)的影響很小。
   4)不添加偏置電壓下的薄膜樣品結(jié)構(gòu)為銳鈦礦薄膜結(jié)構(gòu),偏置電壓大于10V時薄膜為金紅石結(jié)構(gòu)。隨偏置電壓從不添加偏置電壓增大至50V,薄膜的晶粒直徑從206nm下降71nm,粗糙度從8.4nm下降至5.2nm。
   5)對偏置電壓為50V的TiO2薄膜樣品采取等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相蝕刻,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論