版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積pevcd研究分析現(xiàn)狀研究分析現(xiàn)狀等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積pevcd研究分析現(xiàn)狀等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PEVCD的研究現(xiàn)狀太陽(yáng)能光電工程學(xué)院《材料加工設(shè)備概論》課程設(shè)計(jì)報(bào)告書(shū)題目:等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PEVCD的研究現(xiàn)狀姓名:白文周專業(yè):光伏材料加工與應(yīng)用技術(shù)班級(jí):09級(jí)光伏材料助考班準(zhǔn)考證號(hào):014410300529設(shè)計(jì)成績(jī):指導(dǎo)教師:摘要本設(shè)計(jì)主要闡述了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積P
2、ECVD的基本原理,什么叫PECVD以及在太陽(yáng)能電池片制作過(guò)程中的研究現(xiàn)狀關(guān)鍵詞:等離子化學(xué)氣相沉積基本原理PECVD研究現(xiàn)狀目錄緒言31等離子體概論41.1等離子體的基本概念和性質(zhì)41.2等離子體的特性參數(shù)描述51.2.1粒子密度和電離度61.2.2電子溫度和粒子溫度61.3等離子體的產(chǎn)生方法和原理72輝光放電等離子體的物理基礎(chǔ)82.1輝光放電裝置822輝光放電原理103等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)113.1等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的
3、主要過(guò)程113.2等離子體內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)123.3生長(zhǎng)表面的成膜反應(yīng)14參考文獻(xiàn)18緒言本設(shè)計(jì)概要地描述了等離子體的基本概念、性質(zhì)以及描述等離子體的主要參數(shù);闡述了常用于薄膜制備的輝光放電方因此,等離子體是完全不同于普通氣體的一種新的物質(zhì)聚集態(tài)。應(yīng)當(dāng)指出,并非任何的電離氣體都是等離子體。眾所周知,只要絕對(duì)溫度不為零,任何氣體中總存在有少量的分子和原子電離。嚴(yán)格地說(shuō)來(lái),只有當(dāng)帶電粒子地密度足夠大,能夠達(dá)到其建立的空間電荷足以限制其自身運(yùn)動(dòng)時(shí)
4、,帶電粒子才會(huì)對(duì)體系性質(zhì)產(chǎn)生顯著的影響,換言之,這樣密度的電離氣體才能夠轉(zhuǎn)變成等離子體。除此之外,等離子體的存在還有其特征的空間和時(shí)間限度,如果電離氣體的空間尺度L不滿足等離子體存在的空間條件LD(德拜長(zhǎng)度D為等離子體宏觀空間尺度的下限)的空間限制條件,或者電離氣體的存在的時(shí)間不滿足p(等離子體的振蕩周期p為等離子體存在的時(shí)間尺度的下限)時(shí)間限制條件,這樣的電離氣體都不能算作等離子體[2]。1.2等離子體的特性參數(shù)描述等離子體的狀態(tài)主要
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)綜述
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積DLC膜的研究.pdf
- 磁激活等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的研制.pdf
- ICP等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備納米粉體氮化硅特性研究.pdf
- PCVD等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備研制.pdf
- 微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)研究.pdf
- 感應(yīng)耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備多晶硅薄膜.pdf
- 低溫等離子體化學(xué)氣相沉積GaN薄膜.pdf
- PVCD等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的研究.pdf
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備氮化碳薄膜及其氣相反應(yīng)過(guò)程研究.pdf
- 微波等離子體化學(xué)氣相沉積硅薄膜的研究.pdf
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氮化硅薄膜制造過(guò)程質(zhì)量控制方法研究(1)
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積氮化硅薄膜制造過(guò)程質(zhì)量控制方法研究.pdf
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制圖優(yōu)化TiO2薄膜及其光學(xué)性能研究.pdf
- 常壓射頻低溫等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積二氧化硅薄膜的研究.pdf
- 等離子體化學(xué)氣相沉積碳化硅納米線的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 等離子體化學(xué)氣相沉積合成石英玻璃的基礎(chǔ)研究.pdf
- 微波等離子體刻蝕輔助石墨烯生長(zhǎng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng).pdf
- 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備立方氮化硼薄膜過(guò)程中的應(yīng)力形成與釋放機(jī)理
- 栗然 等離子體電解沉積的研究現(xiàn)狀
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論