壓阻式MEMS聲傳感器研究.pdf

1、集成電路及微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)的高速發(fā)展，促進(jìn)了硅微傳感器的研究與應(yīng)用。本文對(duì)MEMS聲傳感器進(jìn)行了研究，根據(jù)MEMS聲傳感器的工作原理和結(jié)構(gòu)特性，設(shè)計(jì)了MEMS聲傳感器芯片，并通過(guò)有限元軟件進(jìn)行了仿真模擬。該模擬結(jié)果符合研究目標(biāo)要求.本文又對(duì)MEMS聲傳感器的封裝結(jié)構(gòu)、制作工藝、處理電路和測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析和討論。
　　基于硅壓阻效應(yīng)，MEMS聲傳感器由壓力敏感膜結(jié)構(gòu)、四個(gè)壓敏電阻構(gòu)成。它采用了SOI硅片，通過(guò)微機(jī)械加

2、工工藝制作而成。通過(guò)在有限元軟件上建立模型與仿真，本文設(shè)計(jì)出了MEMS聲傳感器的壓力敏感膜結(jié)構(gòu)及壓敏電阻。壓力敏感膜上的四個(gè)壓敏電阻構(gòu)成惠斯通電橋。在聲壓作用下，惠斯通電橋上有兩個(gè)壓敏電阻阻值會(huì)變大,另外兩個(gè)壓敏電阻阻值會(huì)變小,這樣惠斯通電橋就會(huì)輸出一個(gè)電壓信號(hào)，此電壓信號(hào)與聲壓成正比。本文采用光刻、離子注入等工藝在SOI硅片上制作出四個(gè)壓敏電阻,并采用ICP深槽刻蝕技術(shù)制作出了MEMS聲傳感器的壓力敏感膜結(jié)構(gòu)。為了對(duì)MEMS聲傳感器性