壓阻式MEMS聲傳感器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路及微電子機械系統(tǒng)技術(MEMS)的高速發(fā)展，促進了硅微傳感器的研究與應用。本文對MEMS聲傳感器進行了研究，根據MEMS聲傳感器的工作原理和結構特性，設計了MEMS聲傳感器芯片，并通過有限元軟件進行了仿真模擬。該模擬結果符合研究目標要求.本文又對MEMS聲傳感器的封裝結構、制作工藝、處理電路和測試數據進行了分析和討論。
　　基于硅壓阻效應，MEMS聲傳感器由壓力敏感膜結構、四個壓敏電阻構成。它采用了SOI硅片，通過微機械加

2、工工藝制作而成。通過在有限元軟件上建立模型與仿真，本文設計出了MEMS聲傳感器的壓力敏感膜結構及壓敏電阻。壓力敏感膜上的四個壓敏電阻構成惠斯通電橋。在聲壓作用下，惠斯通電橋上有兩個壓敏電阻阻值會變大,另外兩個壓敏電阻阻值會變小,這樣惠斯通電橋就會輸出一個電壓信號，此電壓信號與聲壓成正比。本文采用光刻、離子注入等工藝在SOI硅片上制作出四個壓敏電阻,并采用ICP深槽刻蝕技術制作出了MEMS聲傳感器的壓力敏感膜結構。為了對MEMS聲傳感器性

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